Mid-gap photoluminescence and magnetic properties of GaMnN films grown by metal-organic chemical vapor deposition.pdfVIP

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2017-08-20 发布于湖北
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Mid-gap photoluminescence and magnetic properties of GaMnN films grown by metal-organic chemical vapor deposition.pdf

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Mid-gap photoluminescence and magnetic properties of GaMnN films grown by metal-organic chemical vapor deposition.pdf

Chin．Phys．B Vo1．23，No．10 (2014)107803 M id·gapphotoluminescenceandmagneticproperties0fGaMnN nnl1m Sgr0WnlDym et·all-organi●ccI’iem l●Cal●VaD0rc1IeDosi●t-i●on ’ XingHai—Ying(~海英))，xuZhang—Cheng(徐章程))十，CuiMing．Qi(崔明启)， XieYu．Xin(谢玉芯)，andZhangGuo—Yi(张国义)。) SchoolofElectronicsandInformationEngineering,TianjinPolytechnicUniversity,Tinajin300387．China …InstituteofHighEnergyPhysics，ChineseAcademyofSciences，Beqing100049，China 。)ResearcbCenterforWide— bnadSemiconductors．PekingUniversity,Beijing100871．China (Received16January2014；revisedmnauscriptreceived28March2014；publishedonline10August2014) Metal—organicchemicalvapordeposition(M0CVD)grownferromagneticGaMnN filmsareinvestigatedbyphoto． 1uminescence(PL)measurementwithamid．gapexcitationwavelengthof405nm．AsharpPLDeakat1．8eVisfoundand thePL intensitysuccessivelydecreaseswiththeadditionofMn．inwhichtheMnconcentrationofsampleA isbelow 1％ (M【n]A=0．75％)butitsPLintensityissrtongerthanothersamples’．The1．8．eVPLpeakisattributedtotherecombination ofelectronsinthet2stateoftheneurtalMnj十acceptorwithholesinthevalenceband．W ithMnconcenrtationincreasing． theintensityofthePLDeal(decreasesandthemagneticincrementreducesinoursamples．ThecorrelationbetweenthePL Deakintensityandferromagnetism ofthesamplesisdiscussedincombinationwithhteexperimentalresults． Keywords：GaMnN，photoluminescence，magnetism，metal-organicchemicalvapordeposition PACS：78．55．一m，78．30．Fs DoI：10．1088／1674—1056／23／10／107803 1．Introduction onopticalproperties；correlationbetweenoptical nadmag-