6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征.pdfVIP

第43卷 第8期 人 工 晶 体 学 报 Vot．43 No．8 2014年 8月 JOURNAL 0F SYNTHETIC CRYSTALS August，2014 6H-SiC衬底上多晶 Si薄膜热壁 CVD间隔生长与 结构表征 高战军，陈治明，李连碧，赵 萌，黄 磊 (西安理工大学，西安710048) 摘要：在热壁 LPCVD系统中利用间隔生长法在6H．SiC衬底上淀积 si薄膜，采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和 拉曼光谱对si薄膜的表面形貌和结构进行表征。结果表明：相比于连续生长法，用间隔法制备si薄膜的速率有所 降低，但表面粗糙度有所减小，同时晶粒尺寸也增大。XRD测试结果表明：间隔法可以控制薄膜生长的择优取向。 Raman光谱测试结果表明：采用间隔法且断源时间控制在30S时，生长温度900℃，H ：SiH4：400：20seem时生长 si薄膜的Raman半峰宽最小。 关键词：热壁 LPCVD；多晶si薄膜；择优取向；表面粗糙度 中图分类号：TN304。1 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2014)08．1965435 GrowthandStructuralCharacterizationofP0lycrystallineSilicon Film Pulsedon6H-SiC SubstratebyHWCVD GAOZhan-jun，CHENZhi—ming，LILian—bi，ZHAOMeng，HUANGLei (XianUniversityofTechnology，Xiall710048，China) (Received23October2013，accepted30May2014) Abstract：Sifilm werepreparedon6H—SiC substrateinlow—pressurechemicalvapoursystem byinternal growthmethod．Thesurfacemorphology and crystalline structureoftheSifilmswere characterizedby XRD，SEM ，confocal laserscanningmicroscopeandRaman．Theresultsindicate thatcomparedwith source-gaslastsupplymethod，thegrowthratevisiblydecreasedbutsurfaceroughnessdecresed．TheSi filmsofpreferredorientationcanbegainedbytheplusemethod．Whentheturn—offtimeis10 S，theSi filmsgrowpreferentiallyalong (220)crystallineorientation．Astheturn-offtimeincreases，thegrow orientationchangeto(111)orientation．RamanspectraoftheSifilmsdemonstratethattheFWHM is minimum when theturn—offtimeis30SandtheH2／Sill4ratioisequal to400：20sccm． Keywords：hot·wallLPCVD；polycrystallineSithinfilm；preferredorientation；surfaceroughness 1 引 言 SiC作为第三代半导体材料的代表之一，其优越的物理及化学特性为其制备高温、高压、高频、大功率以