A Multiple Resonant Mode Film Bulk Acoustic Resonator Based on Silicon-on-Insulator Structures.pdfVIP

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2017-08-20 发布于湖北
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A Multiple Resonant Mode Film Bulk Acoustic Resonator Based on Silicon-on-Insulator Structures.pdf

CHIN．PHYS．LETT．Vo1．31，No．12(2014)124302 A M ultipleResonantM odeFilm Bulk AcousticResonatorBased on Silicon on—InsulatorStructures CHENXiao(陈晓)，YANGYi(}gJ轶)，CAIHua-Lin(蔡华林)，ZHOUChang-Jian(N]~ ) MohammadAliMOHAMMAD ，RENTian—Ling(任天令) InstituteofMicroelectronicsandTsinghuaNationalLaboratoryforInformationScienceandTechnology(TNList)， TsinghuaUniversity,Beijing100084 。DepartmentofElectronicand ComputerEnginearing，HongKong UniversityofScienceandTechnology,HongKong (Received11September2014) Wereportamultipleresonantmodefilmbulkacousticresonator(FBAR)withdifferentAjNfilmthicknessesof 6o5nm．640nm and680nm．Ⅵ，j拙 thetiltedc—axisorientationoftheAIN piezoelectricfilm providingPolarization verticaltothec-axis，acousticwaveresonantpeakshavebeenobservedofrboththethicknessshearmodes(TSM oth，TsM M 2n1andthethicknessextensionmodes(TEM 0t，TEM 1)． ecorrespondingparallel resonantfrequenciesarearound 1．6OGHz，2．4lGHz，3．45GHz，2．7，5GHzand4．IOGHz，respectively．Thelatter two TEM modesalso havegood quality factors，and hig5 equivalentelectromechanicalcoupling coe币cients of647,3．13％ and113，6．23％，respectively．By etchingthe1．8 m siliconsacrificiallayer，theairgap FBAR deviceshave been fabricated in an easierand cleanerway resulting j力 alow insertion lossof一2．2dB． Theoveralldevicestructureofthetopelectrode／A1Nfilm~bottomelectrodeonSi02／silicon—Oll—insulatorfS0I) substratepotentiallyenablesCMoS compatibilitv．Thesemultip1eresonantmodeFBAR deviceswillpromote thejntegration ofmulti—bandfiltersOllasinglechip．Improvementsofthefabricationprocess，theinfluenceof differentAjN film thicknessesandtheoreticalanalysesofthecoexistenceofmultipleresonantmodesarepresented． PACS：43．38．Fx，43．38．+n，81，65．Cf，81．05．Ea