AlN蓝宝石模板上与GaN近晶格匹配InAlN薄膜的研究.pdfVIP

第 8卷 第 3期 材 料 研 究 与 应 用 Vo1．8，No．3 20 14年 9月 MATERIAISRESEARCH AND APPLICAT10N Sept．2014 文章编号 ：1673—9981(2014)03—0165—04 AIN／蓝宝石模板上与G；aIN近晶格匹配 InAIN薄膜的研究* 张 康 ，张 娜 ，张志清 ，刘宁炀 ，王君君 ，赵 维 ，范广涵 ，陈志涛 ，江川孝志 1．广东省工业技术研究院(广州有色院金属研究院)，广东 广州 510650 2．日本名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心，名古屋市 4660061 摘 要 ：采用 MOCVD方法在 A1N／蓝宝石模板生长了与 GaN近晶格 匹配的高质量 InA1N薄膜 ，并对其结 构及表面特性进行了研究．结果表明：X射线衍射 (20～24)面的倒易空间图表明，InAIN薄膜的晶格常数与 GaN面的相匹配 ；(002)和(102)面的 摇摆 曲线测试表明，InA1N薄膜的晶体质量高，半峰宽值分别低达 100和 248 ；通过扫描 电子显微镜(SEM)分析发现 ，InA1N薄膜表面平整 ，仅存在少量位错坑 ；x射线能谱 面扫描图(EDX映射)结果显示 ，除位错坑附近外，在薄膜其它区域内Al和 In元素分布均匀． 关键词 ：InAlN薄膜 ；GaN；近晶格匹配 中图分类号：TG113 文献标识码 ：A 三族氮化物材料 GaN，InN，A1N及其合金体 系 ，被广泛应用于光 电子器件和功率电子器件领域 1 实验部分 中，如发光二极管 (LED)、高 电子迁移率 晶体管 (HEMT)等 ]．当 InA1N 中 In的摩尔分数接近 研究的InA1N薄膜试样是在 AlN／蓝宝石模板上 0．18时，可实现与 GaN面 晶格常数匹配 ¨3]，从而有 采用 MOCVD方法生长的，实验使用的MOCVD设备 望获得高质量 的InAIN／GaN异质结材料．此外 ，In— 为大阳日酸株式会社生产的 SR200O系列的MOCVD A1N还具有宽禁带和高折射率等优点[4-5]，这些特征 系统．在材料生长过程中，使用三 甲基镓作 Ga源、三 使其在应用 中具有优势．然而 ，由于 In—N 和 Al—N 甲基铝作Al源、三 甲基铟作 In源、氨气作 N源．首先 化合键的键能等性质差异大 ，使得高质量 InA1N材 在 AIN／蓝宝石模板上先生长一层厚 2 m 的GaN薄 料的生长窗 口小、难度大，近年来随着材料生长技术 膜 ，然后再生长一层厚约 100nm 的InA1N薄膜 ，薄膜 的不断进步 ，InAlN 的生长已取得突破性进展 ]．基 生长温度为 800℃，外延结构如图1所示． 于 In。．。Al N／GaN 的多种高性能光 电器件和 电 InAlN(100nm) 子器件性能的进一步提升依赖于 InAIN材料质量 GaN (2um) 的不断提高 ，因此如何获得高质量 InA1N材料 ，对 A1N (1 “m) 其器件应用及发展具有重要意义． 蓝 宝石 衬底 本文采用金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 法 ，在 AIN／蓝宝石模板上生长 了InAlN薄膜材料 ， 图 1 外延结构示意图 同时对薄膜的性能进行 了测试及分析． Fig．1 Schematicdiagram oftheepitaxialstructure 收稿 日期：2013-l1—16 *基金项 目：广东省战略性新兴产业 LED专项 (201