Rf-PECVD制备Si掺杂DLC薄膜性能的研究.pdfVIP

激兴与 电子学进展 52，O13101(2015) Laser 0ptoelectronicsProgress 02015((中国激光》杂志社 Rf-PECVD制备Si掺杂DLC薄膜性能的研究 杨永亮 岳 莉 李 娜 唐昊龙 凯里学院物理与电子工程学院，贵州 凯里 55601l 长春理工大学，吉林 长春 130022 摘要 为了改善类金刚石(DLC)薄膜的应力和热稳定性，采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)技术，通 过在原有设备上加入与流量控制器相连 的双起泡器 ，并以氩气为运载气体 ，正丁烷为反应物 ，在硅基底上实现了以液 态物质 四甲基硅烷 (TMS)为前驱物的Si掺杂类金 刚石薄膜 的沉积。硬度 、应力 、表面粗糙度及热稳定性 的测试表 明， 随着运载气体流量 的增加 ，薄膜 的应力分布、表面粗糙度和热稳定性都有很大程度 的改善 ，但也导致薄膜 的硬度下 降 ，当运载气体的流量为30mLm／in(标准状态)时，Si掺杂DLC薄膜的石墨化温度可以达到600℃以上，薄膜的应力 降低为 0．65GPa，表面粗糙度降低到0．566nm，但硬度下降为 12．6GPa。 关键词 薄膜；类金刚石；应力；热稳定性 中图分类号 0484 文献标识码 A doi：】0．3788／LOP52．013】01 StudyonthePropertiesofDLC Filmsw ith SiDopingPrepared byRf-PECVD YangYongliang YueLi LiNa TangHaolong。 PhysicsandElectronicEngineeringCollege，KailiUniversity，Kaili，Guizhou 556011，China ChangchunUniversityofScienceandTechnology，Changchun，Jilin130022，China Absrtact Inordertoimprovethestressandthethermalstabilityofdiamondlikecarbon(DLC)film，byaddingtwo bubblersconnectedtom assflow controllerintotheimprovem entoftheradiofrequenceplasmaenhancedchemical vapordeposition(RF—PECVD)equipment，theDLCfilmswithSidopingpreparedbyRf—PECVDtechnologywith CH4asthereactants，liquidtetramethylsilane(TMS)asthereactionprecursandArasthecarriergas．The measurementsofthestress，thehardness，roughnessandthethermalstabilitydemonstratethatthestress，roughness andthethermalstabilityoftheDLC filmsdopedSiareimprovedatacertaindegreewiththeincreaseoftheflow rate ofthecarriergas，butthehardnessdecreasesobviously，astheflow rateofthecarriergasisequalto30mL／m in (standaxdstate)，thestressdecreasesto0．65GPaandthetemperatureofgraphitizationincreasestomorethan600℃． theroughnessofthesurfaceisdecreasedto0．566nm．butthehardnessdecreasesto 12．6GPa． Keywords thinfilm