InGaAsGaAs应变量子阱的发光特性研究.pdfVIP

第 34卷 第 11期 光 学 学 报 Vo1．34，No．1i 2014年 11月 ACTA 0PTICA SINICA November，2O14 InGaAs／GaAs应变量子阱的发光特性研究 戴 银 李 林 苑汇帛 乔忠良 孔令沂 谷 雷 刘 洋 李 特 曲轶 刘国军 ／长春理工大学高功率半导体激光 国家重点实验室 ，吉林 长春 1300222、 、 。艾强(上海)贸易有限公司 ，上海 200052 ／ 摘要 利用低压金属有机化学气相沉积技术 (LP—MOCVD)生长 InGaAs／GaAs单量子阱(SQW)，通过改变生长速 率、优化生长温度和V／III比改善了量子阱样品的室温光致发光 (PL)特性。测试结果表明，当生长温度为 600℃、 生长速率为 1．15 m／h时，生长 的量子阱PL谱较好 ，增加 v／11I比能够提高量子阱的发光强度 。实验分析 了在不 同的In气相 比条件下，生长速率对量子阱质量的影响，利用模型解释了高 In气相 比时，随着生长速率增加PL谱蓝 移现象消失 的原 因。 关键词 薄膜 ；金属有机化学气相沉积 ；InGaAs／OaAs单量子阱；生长速率 ；生长温度 ；光致发光 一 中图分类号 0472+．3 文献标识码 A doi：10．3788／AOS201434．11310o1 ResearchonPhotoluminescencePropertiesofInGaAs／GaAs StrainedQuantum Well DaiYin LiLin YuanHuibo QiaoZhongliang KongLingyi。 GuLei Liurang LiTe QuYi LiuGuojun NationalKeyLaboratoryofHighPowerSemiconductorLasers，ChangchunUniversityof Scienceand technology，Changchun ，Jilin 130022，China AIXTRON ChinaLtd．Company，Shanghai200052，China Abstract StrainedInGaAs／GaAssinglequantum wells (SQWs)aregrown bythelow pressuremetal—organic chemiealvapordeposition (LP-MOCVD)．Theexperimentalresultsshow thatthephotoluminescence (PL)emission ofInGaAs／GaAsSQW canbegreatlyimprovedbyoptimizingthegrowthrate，V／IIIratioandtemperature．Itisfound thattheQw structuresgrownatthegrowthtemperatureof600℃ andthegrowthrateof1．15um／hexhibitbetter PLemission，strongerPL intensitywithhigherV／Illratio．ThereasonwhytheblueshiftphenomenonofPL spectrum disappearwhen theInGasratioishigherisexplainedbyamode1． Keywords thinfilms；meta1．organicchemica1vapordeposition；InGaAs／OaAssinglequantum well；growthrate； growthtemperature；photoluminescence OCIS