MgxZn1-xO压电薄膜表面粗糙度对SMR性能的影响.pdfVIP

材料与结构 MaterialsandStructures M~Znl—O压电薄膜表面粗糙度对SMR性能的影响 沈 勇，刘一剑 ，杨翰林，段 力，张亚非 (上海交通大学 电子信息与电气工程学院，上海 200240) 摘要 ：固体装配型谐振器 (SMR) 由布拉格反射层上的两个电极及它们之 间的压电层制备而成。 布拉格层是厚度为 1／4波长的高低声阻层结构。ZnO压电薄膜是用来制备 SMR的传统压电材 料 ，但却拥有低的纵 向声学速度和相对 固定 的频率响应。由ZnO和 MgO合成的三元化合物 MgZn一o薄膜是一种高声速 、高电阻的压 电材料 ，有很大的潜能用于 SMR。Mgzn一o薄膜 表面的粗糙度对 SMR的谐振特性有很大影响。通过射频磁控溅射 的方法制备 了MgZn，一O薄 膜 ，研究了不同射频磁控溅射条件对 MgZn，一O薄膜表面粗糙度的影响。通过控制淀积条件， 获得了C轴择优取向的表面光滑的Mgzn，一O压电薄膜。通过优化Mgzn一O薄膜表面粗糙 度 ，SMR的性能能够得到显著提 高。 关键词 ：磁控溅射；压电材料 ；表面粗糙度 ；固体装配型谐振器 (sMR)；MgZn，一O 中图分类号 ：TN304．21 文献标识码 ：A 文章编号 ：1671—4776 (2014)12—0776—04 InfluenceoftheSurfaceRoughnessofM g Znl一0 Piezoelectric ThinFilmson CharacteristicsoftheSM R ShenYong，LiuYijian，YangHanlin，DuanLi，ZhangYafei (SchoolofElectronics，InformationandElectricalEngineering (SEIEE)，ShanghaiJiao TongUniversity，Shanghai200240，China) Abstract：Thesolidlymountedresonator (SM R)wasfabricatedfrom twoelectrodesuponBragg reflectinglayerandthepiezoelectriclayerbetweentwo electrodes．Bragg reflectinglayerwasa structureconsistingofhighand low acousticimpedancelayersofquarter—wavelengththickness． ZnO piezoelectricthinfilm isoneofthetraditionalmaterialstomaketheSM R，buthaslow longi— tudinalacousticspeed and relatively fixed frequency response．Ternary compound M gZn1- 0 thinfilm formedbyalloyingZnO andM gO isapiezoelectricmaterialwithhighvelocityandhigh resistance，andhasstrongpotentialapplicationsin theSMR．ThesurfaceroughnessofMgxZnl一 0 provedsignificantlybyoptimizingthesurfaceroughnessoftheMgZnl一0 thinfilm． 收稿 日期 ：2014-09—08 基金项 目：国家科技项 目 (2011AA050504) 通信作者：张亚非 ，E-mail：yfzhang@sjtu．edu．cn 776 M icronanoelectronicTechnologyVo1．51No．12 December2014 沈 勇等：MgZn一0压电薄膜表面粗糙度对 SMR性能的影响 Keywords：m