NiO薄膜厚度对CdTeO3量子点敏化太阳电池性能的影响.pdfVIP

第29卷 第 3期 北 京 信 息 科 技 大 学 学 报 Vo1．29 No．3 2014年6月 JournalofBeijingInformationScienceandTechnologyUniversity Jun．2014 文章编号 ：1674—6864(2014)03—0055—04 NiO薄膜厚度对 CdTeO3量子点敏化 太 阳电池性能的影响 赵 川，邹小平 ，何 胜 (北京信息科技大学 传感技术研究中心，北京 100192) 摘 要：针对NiO薄膜厚度对量子点敏化太阳电池性能的影响，设计了1组对比实验，并 首次采用CdTeO量子点作为敏化剂敏化NiO光阴极制备P型量子点敏化太阳电池。通过分析发 现当丝网印刷层数为2层，NiO薄膜厚度大约为2．5 m时，光阴极的吸收强度和电池的短路电流 密度都有较大的提升。最终电池获得了0．018％的光电转换效率，达到了国际文献报道的同等水 平，拓宽了P型量子点敏化太阳电池的研究范围。 关 键 词：CdTeO ；NiO薄膜厚度 ；量子点；太阳电池 中国分类号 ：TN304．1 文献标志码 ：A TheinfluenceofNiO thin film thicknessonperformanceofCdTeO quantum dotsensitized solarcells ZHAO Chuan，ZOU Xiao—ping，HESheng (SensingTechniqueResearchCenter，BeijingInformationScienceandTechnologyUniversity，Beijing100192，China) Abstract：A groupofcomparativeexperimentsaredesignedforresearchingtheinfluenceofNiO thin film thicknessontheperformanceofquantum dotsensitizedsolarcel1．CdTeO3quantum dotsareusedas sensitizerofrp-typequantum dotsensitized solarcellofrthefirsttime．Theanalysisshowsthatwhen therearetwolayersofscreenprintingandwhenthethicknessofNiO thinfilm isapproximately2．5 m， theabsorptionofphotocathodeandtheshort-circuitcurrentdensityofsolarcellhavegreatlyimproved． Finally，thephotoelectricconversionefficiencyof0．018％ isachieved．Thisresultreachesthesamelevel reportedininternationalliterature，broadeningthestudyofp-typequantum dotsensitizedsolarcel1． Keywords：CdTeO3；thicknessofNiO thinfilm ；quantum dot；solarcell Dots—sensitizedSolarCell，QDSC)得到 了260～360 0 引言 IxA／cm的短路电流密度和91～95mV的开路电压， 2000年He等人第 1次提出了将n型染料太阳 这是第 1篇用量子点敏化 NiO制备P型QDSC的报 电池(Dye—SensitizedSolarCells，DSSCs)与P型染料