溶胶-凝胶法制备ZnAl2O4∶Tb3＋薄膜及其光学性能研究.pdfVIP

第43卷 第 11期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．43 No．11 2014年 11月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS November．2014 溶胶-凝胶法制备 ZnAI2O4：Tb3+薄膜 及其光学性能研究 常天赐，杨勤学，雷志高，孔峻涵，孟大维，张 扬，李木青，王君霞 (中国地质大学材料与化学学院，武汉 430074) 摘要：使用溶胶一凝胶法在硅片衬底上制备出不同浓度Tb”掺杂的ZnA1：0：Tb“薄膜，使用x射线衍射 (XRD)、热 重-示差扫描量热(TG-DSC)、扫描电镜(SEM)以及荧光光谱分析(PL)进行了表征。结果表明，在700℃煅烧温度 下得到的ZnA1O：Tb“薄膜能够形成良好的锌铝尖晶石物相。700℃煅烧所得样品以薄膜形态附着在硅片衬底 上，薄膜表面存在小尺寸裂纹，且与衬底之间附着良好。在232nm紫外光激发下，样品的发射光谱由位于489nm、 543nlTl、587nm和620am的四个发射峰组成，分别对应Tb“的D一 F(J：6，5，4，3)的跃迁，并且当1b¨掺杂 浓度为5at％时，样品的发光强度达到最大值，继续增加Tb”浓度，则会发生浓度猝灭现象，发光强度降低。 关键词：ZnA12O4；Tb”；溶胶一凝胶；光致发光 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2014)11．2806-05 SynthesisandOpticalPropertiesofZnAI204：Tb3 ThinFilms bySol-GelM ethod CHANGTian—ci，YANGQin-xue，LEIZhi—gao，KONGJun—han， MENGDa—wei，ZHANG ，LIMu—qing，WANGJun—xia (FacultyofMaterialsScienceandChemistry，ChinaUniversityofGeosciences，Wuhan430074，China) (Received29June2014，accepted31July2014) Abstract：Tb 一doped ZnA1204thin filmswere prepared by sol—gelmethod on silicon wafers．The propertiesofZnA1204：Tb“filmswerecharacterizedbyX-raydiffraction(XRD)，thermogravimetryand differentialscanningcalorimetry(TG-DSC)，scanningelectronmicroscopy(SEM)andph0toluminescence spectrum(PL)．Theresuhsshowthatthefilmsattachedonthesiliconwafersareflakedwithagood adhesionafterthefilmsarecalcinedat700 ℃ ．Theemission specturm consistsoffourcharacteristic emissionofTb at489nm (D4 F6)，543nm (D4 F5)，587am (D4 F4)，620am (D4 F3)，respectively．TheZnA12O4：Tb“thinfilmsrevealedthatthestrongestemissionintensityisat 543am when theTb” concentration reaches5at％ and thatthe concentration quenchingwillOcc