氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响.pdfVIP

第5 1卷增 刊1 大 连 理 工 大 学 学 报 Vol. 5 1, Suppl. 1 2 0 1 1 年 4 月 Jour nal of Dalian Un iver sity of Techn ology Apr . 2 0 1 1 文章编号 1000- 860 8( 20 11) S1- S005- 04 氧 分 压 对 IWO 薄 膜 表 面 形 貌 及 光 电 性 能 的 影 响 * 张 远 鹏 , 王 文 文, 秦 诗 瑶, 于 蕾 ( 北京航空航天大学 物理 科学与核能工程学院, 北京 100 191 ) 摘要 掺钨氧化铟( In2 O3 W , IW O) 薄膜是一种新型的透 明导 电氧化物( TCO) 薄 膜, 其 中 W 与 In 之间存在着较高的价态差, 使得 IW O 薄膜与 其他 TCO 薄膜相 比, 在相 同的电阻率条件 下具有载流子浓度低、迁移 率高 和 近红 外区透射 率高 的特 点. 利用 直流 磁控 溅射 法制 备了 IW O 薄膜, 利用 X 射线衍射 、扫描 电子显微镜、霍尔效 应及分光 光度计 表征了薄膜 的表面形 貌及光 电性能. 在工作压力 1 Pa 、氧分压为 2. 4 @10- 1 P a 的条件下, 实验 中制备的 IWO 薄膜 - 4 2 - 1 - 1 最佳 电阻率为 6 . 3 @10 8 # cm, 最高 载流子迁 移率为 34 cm V s , 载流 子浓度 达到 2. 9 @1020 cm- 3 , 可见光平均透射率约为 85% , 近红外平均透射率大于 80% . 关键词 IWO 薄膜; 直流磁控溅射; 氧分压; 表面形貌; 光电性能 中图分类号 O469 文献标志码 A 0 引 言 IM O 薄膜中 M o 以六价离 子态形式 存在. Mo6+ 和 In3+ 之 间的高价态差使得 IMO 同时具有低 电 TCO 薄膜由于其优 良的导 电性和可见光范 阻率和光 的高透过性. W 元素与 M o 元素类似, 围的高透过性而广泛应用于平板显示器件 、太 阳 同样可以+ 6 价形式存在, 在 IWO 结构 中可以形 能 电池和 建筑材 料领域. 太 阳光在 可见光 范 围 成 W 与 In 的高价态差. 本文采用直流反应磁控 ( 400 ~ 700 nm ) 的能量只 占其 发光全波 长范 围 溅射 的方式制备 IWO 薄 膜, 通过改变溅射参数 ( 300~ 2 500 nm ) 的 43% , 在近红外区域( 700~ 研究 IWO 薄膜 的表面形 貌和光 电特性, 着重分 2 500 nm ) 的能量 却 占总 能量 的 52 % [ 1] . 传 统 析氧分压对 IWO 薄膜光电特性 的影响. TCO 材料如 ITO( In2 O3 Sn ) 、ZAO( Zn O Al) 等 在近 红外区域 的透射率都很低[ 2 、3]