光电探测器薄膜生长条件及机理分析.pdfVIP

第29卷 第 3期 北 京 信 息 科 技 大 学 学 报 V01．29 No．3 2014年6月 JournalofBeijingInformationScienceandTechnologyUnivers Jun．2014 文章编号：1674—6864(2014)03—0089—03 光电探测器薄膜生长条件及机理分析 宋 珍 (北京信息科技大学 理学院，北京 100192) 摘 要：将花四甲酸二酐(3，4，9，10一perlenetetracrboxylicdianhydride，PTCDA)真空蒸发 到无机半导体p．si衬底上，研制的p-Si／PTCDA异质结光电探测器，对光照非常敏感，是一种响应 度很高的宽带光电子元器件。讨论分析了不同的衬底制备条件制备p-Si／PTCDA异质结薄膜的情 况，实验结果表明，制备过程中细微的环境变化，显著影响了器件质量，通过分析成膜质量与器件 内 部微观机制、能带结构、载流子输运之间的关系，确定制备异质结有机薄膜的硅晶面选择，以及衬底 的温度最佳的选择范围。 关 键 词：茏四甲酸二酐；原子力显微镜；X射线光电子能谱 中图分类号：TN304；O484．4 文献标志码 ：A Growth conditionsandmechanism ofphotoelectricdetectorfilm SONG Zhen (SchoolofAppliedScience，BeijingInformationScienceandTechnologyUniversity，Beijing100192，China) Abstract：HeterojunctionphotodetectorofPTCDAdepositedontheinorganicsemiconductorofP· Si，whichisverysensitivetolight，isaresponsetoahighdegreeofbroadbandoptoelectroniccomponents． Thesubstrate-preparedp-Si／PTCDAheterojunctionthinfilmsunderdifferentpreparationconditionsare discussed．Experimentalresultsshow thatpreparationofminorenvironmentalchangesduringtheproeess significantlyinfluencesthedevicequality．Theselectionofsiliconcrystalfaceandsubstratetemperatureof preparativeheterojunctionorganicthinfilmisdecidedbyanalyzingtherelationshipbetweenfilmquality andthedeviceinternalmicromechanism，energybandstructure，carriertransport． Keywords：3，4，9，10一perlenetetracrboxylicdianhydride-PTCDA ／p-Si；AFM (AtomicForce Microscope)；XPS(X-rayphotoelectronspectroscopy) PTCDA异质结薄膜，然后选取功函数在4到5之间 0 引 言 的金属作为电极，利用钨丝把金属蒸发到硅片的未 从 1873年英国科学家w史密斯发现了硒的光 剖光面制成背欧姆接触，然后通过掩蔽膜在 PTCDA 电导效应之后，人们长期致力于探索研究这种效应 上