射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响.pdfVIP

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第43卷 第 11期 人 工 晶 体 学 报 Vo1.43 No.11 2014年 11月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS November.2014 射频功率对 Si薄膜微观结构及 电学性能的影响 郝 娟,蒋百灵,杨 超,董 丹,张彤晖 (西安理3-大学材料科学与工程学院,西安 710048) 摘要:采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同射频功率的si薄膜,并对其进行真空退火处理。研 究了射频功率和退火处理对薄膜微观结构和电学性能的影响,并总结了不同电场环境对薄膜原子排列有序度的影 响规律。结果表明:随射频功率的增加,si薄膜的非晶结构无实质改变,但其少子寿命明显增强;经800oC真空退 火处理后,si薄膜的微观结构均由非晶态转变为晶态,晶化程度达60%以上 ,且少子寿命达到20 s以上。 关键词:Si薄膜;射频功率;微观结构;少子寿命 中图分类号:TB321 文献标识码:A 文章编号:1000-985X(2014)11-2835-05 hlnuenceofRF PoweronM icrostructureand ElectricalPropertiesofSiThinFilms HAOJuan,JIANGBai—ling,YANGChao,DONGDan,ZHANG ng—hui (SchoolofMaterialsScienceandEngineering,Xj肋,UniversityofTechnology,Xian710048,China) (Received4July2014,acceptedlAugust2014) Abstract:A seriesofsithinfilmsweredepositedbytheplasma—enhancedchemicalvapordeposition (PECVD)underdifferentRFpowers,andthenannealedinvacuum.TheinfluenceofRFpowerand annexingtreatmentonthemicrostructureandelectricalpropertiesofthefilm wasinvestigated.Theeffect ofdifferentelectric field environmentson theorderdegreeofthepartialarrangementofSiatomswas summarizedinthiswork.Theresultsshow thatastheRFpowerincreased.theamorphousstructureofSi filmshadnoessentialdifferencewhilethe lifetimeoftheminoritycarrierincreasedapparently.After annealingat800 oC,themicrostructureofSifilmstransformed from amorphoustocrystalline andthe , degreeofcrystallizationwasmorethan60% .Thelifetimeoftheminoritycarrierreachedover20 s. Keywords:sithinfilm;RFpower;microstructure;lifetimeofminoritycarrier 1 引 言 目前,晶体si是太阳能电池市场的主要阵营。但

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