Si基Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的设计与模拟.pdfVIP

激兴与光 电寻学进展 51，l22302(20l4) Laser 0ptoelectronicsProgress @2014((中国激光》杂志社 Si基Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的设计与模拟 周志文 沈晓霞 李世国 深圳信息职业技术学院电子与通信学院，广东 深圳 518172 摘要 设计了si衬底上 Ge薄膜共振腔增强型光电探测器 的器件结构，理论计算了上下反射镜Si／SiO的对数、吸收区 Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si／SiO。的对数分别 为2和3，Ge薄膜的厚度为0．46 m ，器件 的台面面积小于 176 m 时 ，探测器在 中心波长 1．55 m处 的外量子效率 达到O．64，比普通结构提高了30倍 ，同时器件 的带宽达到40GHz。 关键词 光 电子学；共振腔增强型；光 电探测器；锗 中图分类号 TN3l5 文献标志码 A doi：10．3788几OP51．122302 DesignandSimulationofResonantCavityEnhanced GeFilm Photodiodeon SiSubstrate ZhouZhiwen ShenXiaoxia LiShiguo SchoolofElectronicCommunicationTechnology，ShenzhenInstituteof InformationTechnology Shenzhen，Guangdong 518172，China Abstract Resonantcavity enhancedGefilm photodiodeon Sisubstrateisproposed，andtheeffectofthepair valueofSi／SiO2form ingthetopandbottom m irrors，thicknessoftheGeabsorptionfilm，andmesaareaofthe active zone on the characteristics of the device such as externalquantum efficiency and bandw idth is theoretically calculated．Theoptim ized structure isasfollows：thepairvalueofSi／SiO2is2and 3fortop and bottom mirrors，respectively，thethicknessofGefilm is0．46 btm andthem esaareaislessthan 176 m ．Under thiscondition，anexternalquantum efficiencyofO．64atawavelengthof1．55 m ，which is30timeslargerthan theconventionalone，andabandwidthof40GHzareachieved． Keywords 0ptoelectrOnics；resonantcavityenhanced；photodiode；germanium oCIScodes 230．0040；130．0250；040．5160；160．5140 1 引 言 光电探测器是硅基光子学领域的一项重要研究 内容 。由于与现有硅集成电路工艺兼容 ，以及在近红 外波段有较大的吸收系数 ，锗薄膜材料成为硅基片上集成光电探测器 的最佳选择 [15]o近年来 ，笔者所在小 组成功报道 了制作在Si衬底和SOI(绝缘体上的硅)衬底上 的Ge薄膜光电探测器 ，器件在波长 1．3l m处 的外量子效率达到21％。然而 ，由于Ge的吸收系数在波长 1．55 m 以上急剧减小(不足0．046 m。’)，要想获 得高的量子效率 ，势必要增加 吸收区的厚度 ，这样会降低器件的带宽 。一种有效的解决途径是采用共振