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第43卷 第 8期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．43 No．8 2014年 8月 JOURNAL OF SYNTHI汀IC CRYSTALS Au~ust．2014 两种微结构阵列上碳纳米管薄膜强 流脉冲发射比较 麻华丽 ，霍海波 ，曾凡光 ，向 飞 ，王淦平 (1．郑州航空工业管理学院数理系，郑州450015； 2．中国工程物理研究院应用电子学研究所，高功率微波技术重点实验室，绵阳621900) 摘要：为比较不同微结构对于碳纳米管冷阴极电流发射能力的增强效果 ，采用酞菁铁高温热解方法，以化学镀铜层 为缓冲层在两种不同单元尺度的微结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜，并在20GW脉冲功率源系统中采用二 极结构对其强流脉冲发射特性进行了比较研究。基底微结构阵列 的单元尺度为 10 mX20 m(其中微锥底边长 为20 m，单元节距为3O m)和20 mX20 m。结果表明：在相同的峰值电场下，基底微结构阵列的单元尺度越 小，CNTs薄膜的强流脉冲发射电流越大；且随着峰值电场的增加，单元尺度越小，CNTs薄膜的发射电流的增长速 度越快。 关键词：碳纳米管；强流脉冲发射 ；立体微结构；单元尺度 中图分类号：TQ1271，0462．4 文献标识码 ：A 文章编号：1000-985X(2014)08-2098-04 Comparisonon IntensePulsedEmissionofCarbonNanotubeFilms Grown ontheSurfaceofTwoM icro·structureArray MA Hua．1．i．，HUOHai，bo ，ZENG Fan．guang ，XIANGFei，WANG Gan-ping (1．DepartmentofMathematicsandPhysics，ZhengzhouInstituteofAeronauticalIndustryMnaagement，Zhengzhou450015，China； 2．ScienceandTechnologyonHighPowerMicrowaveLaboratory，InstituteofAppliedElectronics，CAEP，Mianyang621900，China) (Received22却r／l2014，accepted12May2014) Abstract：In ordertocomparethe enhancementeffectO{differentmicro structureon carbon nanotube cathodecurrentemissionability．Carbonnanotube(CNTs)filmsweregrownonthesurfaceoftwomicro— sturcturearraywith electrolessplatedCulayerbythepyrolysisofiron phthalocyanine．Intensepulsed fieldemissionofCNTswasmeasuredonthe20GW pulsepowersystem usingadiodesturcture．Theunit scalesoftwomicro—sturcturearrayare10txmx20txm (i．e．themicro-pyramidbottomlengthis20 m， thedistancebetweentwomicro—pyramidsis10 m)and10 m ×20Ixmrespectively．Itisfoundthat，in thesamepeakelectricfield，anunitscaleofmicrostructurearrayissmaller，thepeakemissioncurrent ofCNTsfilm