基于0.1μm+PDSOI工艺射频MOS器件电离总剂量辐照效应研究.pdfVIP

第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 PDS0 基于O．1 I工艺的射频MOS器件 gm 电离总剂量辐照效应研究 ： 刘梦新 刘 刚 卜建辉范雪梅毕津顺赵发展韩郑生 (中国科学院微电子研究所北京 100029) SOl SOl 摘要研制了一种与O．1lamCMOS工艺兼容的射频PDNMOSFET，并分析了电离总 剂量辐照对四种不同结构射频器件的静态特性和频率特性的影响，分别包括前，背栅阙值、泄漏电流、 跨导，输出特性以及交流小信号电流增益和最大有效／稳定增益。实验表明，在室温环境下经过总剂 NMOSFET的静态和射频特性均表现出明显退化，其中 量为1Mrad(Si)的Y射线辐照，各射频PDSOI 以浮体NMOSFET变化最大。虽然损失了部分驱动电流、开关速度和高频特性，LBBC型体接触结 构的射频器件仍表现出优于GBBC和BTS型体接触结构的射频器件的抗电离总剂量辐照的能力。 关键词部分耗尽SOl电离总剂量辐照射频 近些年来，射频技术在当今各个领域得到广泛应用【¨，如：高速语音、数据、图文与图像传输、 蜂窝式个人通信与基站、低轨道卫星移动通信、无线局域网、无线接入系统(包括蓝牙)、全球卫星 定位系统、卫星直播电视和多点多址分布系统等。权衡系统性能、集成度及制造成本等多种因素， FET及HBT的混合技术。但是， 典型的商用无线收发机采用包括CMOS、BiCMOS、BJT、GaAs 在同一系统中使用多种技术，带来许多问题：信号需要在不同工艺模块的芯片之间出入，系统设计 必须考虑驱动和匹配问题；增加了系统功耗和噪声；使系统结构复杂，性能下降；系统体积和成本 都大大增加等。随着无线通信技术的迅速发展，提高无线收发系统的集成度，已经成为一个十分迫 切的任务。 SOI技术以其独特的材料器件结构[2,31利用隐埋氧化层将MOS器件的源区和漏区与衬底完全隔 离，SOI技术可显著降低减器件的寄生电容和衬底射频功率损耗，消除衬底带来的串扰和闩锁效应， 易的实现高阻衬底，从而制造出具有高品质因子的无源器件I删。另外，因其具有对高能粒子入射引 起的单粒子翻转效应和高剂量率瞬态辐照效应具有天然的免疫力，SOl器件和电路也广泛的应用于 恶劣的辐射环境下工作的电子系统中。但由于其本身存在的同有缺陷，如易受到浮体效应、自加热 效应以及电离总剂量辐照的影响[7-91，限制了SOI技术在射频领域内更广泛的应用。本文正是针对上 述问题，开展了针对不同结构的射频PDSOINMOS器件电离总剂量辐照效应研究。 1 样品及试验设置 试验中所采用的射频PDSOI MOS器件是基于中国科学院微电子研究所开发的O．1p．mCMOS工 艺平台制备的，具体器件参数如下： 箱％}国抗％射}“f学b电《脉冲{丰年e论立浆 ●衬底SIMOX品吲，P-type100．10～20Q．％i=200nmtBOX-400nm； ●器州类型RELDDNMOS： 25¨m； ●特征尺寸k，6rm，LOCOS隔离．W／L=20pm／0 BBC ●器制结构浮体、栅侧面伴j『出(GBBC)、巾fⅢ单条紧密体0『出(BTS)和低势垒体0。{；(I 具体结构示恿型如幽1所玳． 口口豹 。j — aftⅣ。 印H n FIoat G LIB(NMOS Bod)HIos 离鬯闺国