厚耗尽层Si探测器的研制及其在空间探测中的应用.pdfVIP

厚耗尽层Si 探测器的研制及其在空间探测中的应用 谭继廉 卢子伟 张金霞 李存璠 （中国科学院近代物理研究所 兰州 730000） 田大宇 宁宝俊 张 录 （北京大学微电子所 北京 100871） 摘要： 本文讨论了厚耗尽层Si 探测器在空间带电粒子探测中的重要作用和意义，分析了实现厚耗 尽层 Si 探测器在技术上所受到的局限性，给出了两种厚耗尽层 Si 探测器（Si （Li）探测器 和基于平面工艺技术的“叠层”Si 探测器）的制备技术和性能测试结果。基于平面工艺技术 的“叠层”Si 探测器最突出优点是在较低的偏压下（例如150伏）可以得到较厚的耗尽层（例 如4mm）。测量结果显示，对207Bi 内转换电子源975.6KeV 峰的能量分辨为大约30KeV。另外， 这种探测器反向漏电流小（150 偏压下其反向漏电流典型值小于20nA），可经受高温（60℃） 的考验。 关键词：厚耗尽层Si 探测器 叠层结构 平面工艺 Si （Li）探测器 一、厚耗尽层Si 探测器的重要性 对Si 探测器而言，耗尽层（即灵敏层）厚度是一个基本的也是十分重要的参数，带电粒子在耗尽层 中所产生的电子—空穴对才能被有效收集，从而，对输出信号有贡献。对探测器使用者来说，这也是首先 要考虑的问题。对探测器耗尽厚度的要求，由入射粒子的种类和能量确定，质量较重、能量较低的粒子， 应使用薄耗尽层；质量较轻、能量较高的粒子，需要厚耗尽层。通常核物理实验及核技术应用所要求的并 且从制造技术可以实现的耗尽层厚度变化范围从几μm 到几mm。Si 探测器除了被单个用来作入射粒子能谱 测量以外，在很多情况下，常由两个或以上不同厚度的探测器组成ΔE-E 望远镜系统,根据 Bethe—Block 公式来鉴别带电粒子种类（M、Z）。由于半导体Si 探测器具有能量分辨好、有较快的信号上升时间和好的 线性响应、对磁场不灵敏、体积小、重量轻等优点，因而被广泛用来测量核反应中产生的带电粒子能谱， 特别适于卫星搭载，用于空间带电粒子探测。空间带电粒子有的能量较高，其中电子可以到 10MeV, 质子 可以到几百MeV。通常用两个以上的Si 探测器组成的方向望远镜来完成高能带电粒子的探测。探测的具体 55 内容主要包括两方面：1，按能区探测高能质子、电子的能谱 ；2 （粗略）鉴别Fe 以下的各种带电粒子。 在这些探测中，方向望远镜中的厚耗尽层探测器（一般要求几mm，例如3mm—5mm）是非常关键的探测器， 而且是难以替代的。 二、研制厚耗尽层Si 探测器所受到的制约因素 由 P 型和 N 型半导体 Si 界面的泊松方程可以解出 PN 结型和 Au-Si 面垒型探测器的耗尽层厚度 D=a ρV ，式中ρ为Si 材料电阻率，V 为工作偏压，a 为常数。对于N 型Si，a=0.5，对于P 型Si，a=0.3。 由该式可见，要获得厚的耗尽层，必须要求 Si 材料有很高的电阻率，或者探测器有很高的工作偏压。由 于Si 材料的拉制工艺要求条件太苛刻，要想得到ρ＞10000Ω·cm 的Si 材料十分困难。就以 10000Ω·cm 的N 型Si 材料为例，要制作厚为 1mm 的全耗尽探测器，需要加工作偏压400V，要制作厚为2mm 的全耗尽 探测器，需要加工作偏压1600V，这在地面使用还勉强可以解决，（但1000V 就比较困难了，因为电荷前置 273 放大器所适用的偏压一般设计为1000V）。但要在空间使用就很困难了，如果要求2mm 甚至更厚的耗尽层， 就基本上不可能了。解决途径：① 采用Si(Li)探测器，② 新的获得厚耗尽层的方法。 三、Si （Li）探测器的研制 Si (Li)探测器是利用在较高温度（100—150 ℃）下在偏压形成的电场作用下，让作为施主杂质的 Li 离子漂移穿过P 型Si 晶格进入Si 片内部并处于替代位置而进行补偿，使原来的P 型Si 单晶变成准本 征硅材料（I ）区，其电阻率可达100K Ωcm 以上，这样的材料可看成准本征硅材料，几乎整个硅片厚度可 视为耗尽层（当然要减去死层即Li 扩散层），这样