磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备.pdfVIP

第 27 卷 　第 12 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 12 2006 年 12 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Dec . ,2006 磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备 赵有文 　董志远 　孙文荣 　段满龙 　杨子祥 　吕旭如 ( 中国科学院半导体研究所 , 北京 　100083) 摘要 : 分析研究了一些缺陷对 I n P 单晶衬底的影响, 包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响, 坑状微 缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等. 对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析. 在此基础上获得了 ( ) “开盒即用 EPIR EA D Y ”、具有 良好晶格完整性 、表面无损伤的 I n P 单晶衬底抛光片. 关键词 : 磷化铟; 缺陷; 衬底; 抛光 PACC : 6 110C ; 8160 ; 7 120 中图分类号 : TN 3042 + 3 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 122 12707 - 3 4 - 2 c m , E PD ≤3 ×10 c m ; 掺铁半绝缘型 , 电阻率 ≥ 7 Ω 4 - 2 1 　引言 1 ×10 ·cm , EPD ≤5 ×10 cm . 晶片的直径为 50 和 75mm . 利用我们 自己的机械化学抛光工艺对 ( I n P 单晶抛光片作为衬底已广泛用于生长毫米 晶片进行单面抛光后 有关机械化学抛光技术的方 波微电子器件和光纤通信用光电子器件材料[ 1 ,2 ] . 法 、原理见参考文献[ 3～7 ]) ,用 OL YM PU S M X40 随着器件性能的不断提高和器件尺寸的减小 , 对 型干涉显微镜观察分析晶片表面的形貌和缺陷. 利 I n P 单晶衬底的质量要求越来越高. 除了要保证晶 用J SM35CF 扫描电镜及 PV 9 100/ 75 电子能量色 ( ) 体的晶格完整性外 , 为了满足外延生长工艺的要求 , 散 X 射线谱 EDX 仪分别观察微缺陷的形貌 ,分析 保证外延生长层材料的质量 , 要求 I n P 单晶抛光片 微缺陷的组份. 用 Bede D 1 型 X 射线衍射仪测量单 ( ) 晶样品的摇摆曲线晶格. 用 ESCAL ab220 IXL 型 X 达到所谓“开盒即用 E PIR EA D Y