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均匀加宽工作物质的粒子反转数饱和 A、当Iν一定时,ΔnΔn0,这种现象称为反转粒子数饱和; B、Δn与Δn0有关,还与入射光的频率有关,不同频率的入射光对反转粒子数的影响是不同的; C、当ν=ν0时, 表明强度为 的入射光会使Δn减小到小信 号Δn0时的 倍,当 时, Δn=Δn0/2。 §3.3 大信号反转粒子数 D、当入射光频率偏离中心频率时,饱和作用较 时弱,如果 且 ,则 ,其饱和作用比中心频率处减小一半,可见偏离中心频率越远饱和作用越弱。通常认为在 范围内,饱和作用明显。 §3.3 大信号反转粒子数 E、饱和光强IS 饱和光强是一个描述增益饱和程度的参量,它有着光强的量纲; 当入射光光强Iν可以与IS相比拟时,受激辐射造成的上能级粒子数衰减率就可以与其他驰豫过程造成的衰减率相比拟; 当入射光强Iν远小于IS时,上能级粒子衰减率与光强无关; §3.3 大信号反转粒子数 二、非均匀加宽大信号反转粒子数 由非均匀加宽工作物质的特性可知,每一种特定类型的粒子只能和某一特定频率的光场相互作用。因此Δn按照ν有一个分布,与均匀加宽类似,小信号时,其分布函数为gi(ν,ν0); 在ν→ν+dν范围内, 其中Δn0为中心频率ν0处的反转粒子数。频率为ν1的准单色光只能造成频率ν1对应的那部分粒子的饱和; 均匀加宽是不可避免的,实际上与频率ν1相应的粒子发射谱线将是以ν1为中心频率,宽度为ΔνH的均匀加宽谱线。 §3.3 大信号反转粒子数 这一部分粒子的饱和行为可以用均匀加宽情况下得出的公式描述: 如果入射光频率为ν1,则对中心频率为ν1的粒子,相当于均匀加宽情况下的入射光频率等于中心频率,当光强足够强时有: 对于中心频率为ν2的粒子,由于ν1偏离ν2 ,引起的饱和效应较小,对应B1点; 对于中心频率为ν3的粒子,由于 此时饱和效应可以忽略,即: §3.3 大信号反转粒子数 ν1的光Iν1入射,将使中心频率为 范围内的粒子有饱和作用; 由于饱和作用,在Δn(ν)上将形成一个以ν1为中心的凹陷,称为“烧孔”, 其深度为: 其宽度为: 孔的面积: 四能级系统中受激辐射产生的光子数正比于烧孔面积δS,即受激辐射功率正比于烧孔面积,这一结论来源于半经典理论。 §3.4 大信号增益系数 一、均匀加宽大信号增益系数 设频率为ν1、光强为Iν1的准单色光入射,且均匀加宽的大信号增益系数为GH(ν1, Iν1),则: 将线型函数、大信号反转粒子数以及小信号增益系数表达式带入可得: 在Iν1IS时,即小信号情况下,增益系数与光强无关,小信号增益系数为: §3.4 大信号增益系数 当Iν1可以与IS比拟时,GH(ν1,Iν1)的值将随着Iν1的增加而减少,这种现象就是增益饱和现象; 当ν=ν0时: 当Iν0=IS时: 上式可得到结论,大信号增益系数为小信号增益系数的一半; ν偏离中心频率越远,饱和效应就越弱; 当 当 增益饱和作用的强弱与入射光的频率有关,越接近中心频率,饱和作用越厉害。增益曲线的饱和下降非均匀,线宽变大。 §3.4 大信号增益系数 当一束强光Iν1入射的同时,一束频率为ν2 的弱光入射到工作物质中,其增益系数会如何变化? 当强光Iν1入射时,会引起Δn的下降,这种下降是在整个原子发光谱线范围内的下降,即对应弱光频率ν2的那部分反转粒子数也同时下降了,弱光入射时对应的反转粒子数不再是Δn0,而是Δn: 所以弱光的增益系数为: §3.4 大信号增益系数 如果 如果ν1=ν0,Iν1=IS,则 ,线宽 每个粒子都对GH(ν2)有贡献,当Iν1的受激辐射消耗了激发态的粒子时,Δn也就减少了对其它频率信号的增益起作用的粒子; 整个增益曲线以同等的份额均匀下降; 均匀加宽激光器中,当一个模开始振荡后,就会使其它模的增益降低,从而阻止其它模的振荡,即产生了模式竞争; 增益曲线的饱和下降均匀,线宽不变。 §3.4 大信号增益系数 二、非均匀加宽大信号增益 考虑非均匀加宽,需要将反转粒子数Δn按中心频率分类,在 范围内的反转粒子数为 这一部分粒子将会发射出中心频率为 ,宽度为ΔνH的均匀加宽谱线,Δn0为中心频率ν0处的小信号反转粒子数; 当频率为ν1光强为Iν1的单色强光入射时,它将只造成表观中心频率为
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