利用电子束蒸发法制备硅薄膜研究.pdfVIP

薄膜硅太阳电池及辛；tjf,--1-．385． 利用电子束蒸发法制备硅薄膜的研究 李明华，李军勇，陈达明，林杨欢，胡芸菲，沈辉。 中山大学太阳能系统研究所广东广州510006 摘要 利用电子束沉积法在普通玻璃衬底上沉积了a-Si／Al双层薄膜，然后在有氮气保护的不同退火温度条件下制备 出多晶硅薄膜。利用拉曼光谱、XRD、SEM对薄膜进行了测试分析。实验结果表明，在铝金属诱导下，a-Si 薄膜在450℃和500E可以晶化，随着退火温度的升高和退火时间的增加，硅薄膜的晶化度加强。 关键词 硅薄膜；铝诱导晶化；电子束蒸发 ’‘J‘-_L I刖 舌 电子束蒸发技术是利用钨灯丝在高压下产生的电子流，在加速电场和偏转磁场的共同作用下，打在坩埚中 的膜料表面形成了柬斑。束斑在膜料位置可以瞬间加热到很高温度，使其能瞬间蒸发，形成的蒸汽在衬底表面 沉积，从而得到薄膜样品。电子束蒸发的特点是获得极高的能量密度，热效率高，使用方便且安全。对于沸点 为2355℃的硅，利用此技术可以制备非晶态的硅薄膜。 ． 目前制备硅薄膜的的技术有：化学气相沉积法、固相晶化法、激光晶化法和