图形化SOI+LDMOS跨导特性研究.pdfVIP

第六届中国纳米科技西安研讨会论文集 图形化SOILDMOS跨导特性的研究 曲越李德昌 (西安电子科技大学技术物理学院． 陕西西安710071) 摘要：借助ISE软件，以调试后备参数性能优良的图形化SOlLDMOS器件为仿真平台，研究并分析了栅 氧化层厚度，漂移区浓度．沟道浓度．SOl层厚度四个结构工艺参数对图形化SOlLDMOS跨导窖II．的影响。 立章指出了对跨导缸有影响的因素．并为踌低跨导应该进行的参数调节提供了参考． 关键词：图形化SOILDMOS：跨导；栅氧化层；漂移区 1引言 SOl独特的三明治结构．使S01技术具有体硅技术无法比拟的优点Ⅲ。接近理想的Ⅱ阈 摆幅允许器件有较低的操作电压：减小的短沟效应有益于器件尺寸的缩小；减小的寄生电容 提高了器件速度，降低了器件功率损耗；高速操作时信号传输损失减小：高阻抗的BOX埋 层作为支撑衬底提高了器件的高频操作性能；改善了器件对外界辐射引起的软错误的容错能 力。利用SOl技术，器件之间可实现理想的全隔离，避免了闩锁，短路等闫题。比结隔离 side 更容易实现的绝缘介质BOX埋层隔离技术有效地把低压CMOS器件与hi∞side和low 功率器件隔离开，抑制了感应过电压和闩锁等问题P．Sl的出现，这允许器件设计过程免去价 格昂贵的深阱隔离工艺． 对于SOl技术在射频领域的应用。器件的高频特性相当重要，通常表征器件高频特性 的主要参量有：器件的截止频率、器件的最高振荡频率和器件的最小噪声指数．器 件的截l}频率与器件的跨导和栅源／栅漏电容有关，通常的表达式为Ⅲ 伊翻 分增餐与栅源电压微分增量之比，表达式 跨导吕I．定义为漏源电压VDS一定时，漏电流的微 为： 晶=赳《 (2) 很多论文对丁I电容特性研究的比较多．此处则主要针对跨导特性展开一系列讨论。 LDMOS，它的结构和工艺参数的变化对 在保证器件高耐压条件下，研究并分析图形化SOl 其跨导特性的影响。 2器件结构和工艺参数 本文借助ISE软件．建立图形化SOlLDMOS的器件模型，进行电学分析。所谓图形 化SOl结构的埋氧层是不连续的，如图I所示吼器件区与衬底电学相连．碰撞电离产生空 穴可由衬底流出。同时，埋氧层的间断，相当于器件区和衬底间有一个硅窗121，可使器件区 产生的焦耳热流向衬底的热沉。不仅能抑制浮体效应，还可减小自加热效应。 作者，曲越(1983一)．女．江苏省连云港市人．西安电子科技大学技术物理学院硕士研究生．研究方向为 一s0I LDMOS器件结构．clarcOl06@163，∞Ⅲ 第六届中国纳米科技西安研讨会论文集 Source／Substrate 图l图形化SOlLDMOS 器件总长度99m，栅氧化层厚度为0．6／tm，埋氧层厚度和长度分别为112m和3．5，tm， SOl层厚度为1m。衬底接触的浓度为l×1019ciB一，沟道浓度为I×10‘7cm4。漂移区浓度 g 为3×1016cm。． 3结构和工艺参数对图形化SOILDMOS跨导的影响 通过改变器件尺寸、浓度等物理参数，期望获得尽量高的跨导，且在器件工作区跨导能 够保持平稳。体现电流对电压稳定且良好的控制能力。基丁I图l的器件结构，每次调整一个 参数作为变量，观察井分析其对跨导gm的影响。 3．1栅氧化层厚度对gⅢ的影响 栅氧化层的厚度是影响器件电学特性的主要因素，它影响器件的截止频率．器件表面电 场的分布，即可以影响击穿电压．同时，栅氧化层的厚度还影响器件的闽值电压： 选取四个不同的栅氧化层厚度．保证器件高于88v耐压的前提F。模拟器件g_和Vdl的 荧系．模拟结果如图2所示． 。 v