微波功率SiGe+HBT的可靠性研究与退化模型的建立.pdfVIP

微波功率SiGe HBT的可靠性研究及退化模型的建立+ 杨经伟’高攀1邱建军‘金冬月2张万荣1刘黎明1朱连仓‘ 1北京1二业大学电子信息与控制工程学院，北京1000222辽宁大学物理系沈阳110036 bjut．edu．cn E—mail：jwyang@emails 摘要：研究了SiGeHBT在OC应力(集电极开路，发射结反向偏置)、FC应力(集电结止向偏置，发射结 反向偏置)以及热应力_F的退化现象。发现基极电流变化量AIB是应力的敏感参数，由此建立了IB的退化模 ‘ 型，并成功地解释了实验现象。 HBT可靠性退化模型 关键词：SiGe ofSiGeHBTunderthe andthermal Abstract：The conditionofFC。SC sgessa口studied Itis degmda“on respectively that isthesensitive ofstressBasedonthis foundAIB the mollof inthis parameIer reason，wepresentdegradationIB modelcan the phenomenon paper．This explainexperiment successfully． HBT modeI KeyWords：SiGereliabilitydegradation 1引 言 SiGe HBT(异质结双极型晶体管)技术在过去十几年里取得了飞速发展，由于它与SiI艺兼容，同 格比和大功率应用等方面成为GaAs技术的有力竞争者。现代SiGeHBT中，发射区和基区常采用重掺杂， 因此，在发射区与基区接触形成空间电荷区中会存在很强的内建电场，载流子在经过此空间电荷区时， 获得很高的能量，形成热载流子。热载流子在散射时易产生晶格损伤以及界面损伤，从而导致器件退化 HBT发展的主要问题 甚至失效。随着器件尺寸的减小，芯片集成度的提高，可靠性问题也成为制约SiGe 之一，所以对器件的可靠性进行研究，有助于进一步认识晶体管的退化和失效机理，对高稳定性、高可 靠性siGeHBT的设计、制作及应用具有重要意义。 2实验 2。1 siGeHBT的器件结构 SiGe HBT的器件结构如图1所示。由于HBT不必利用发射区和基区杂质浓度比来保证注入比(发射效 结电容，集电区的低掺杂(1×10”cm-3)主要是为了减少集电结电容和保证一定的集电极基极击穿电压 能经受住制造工艺中的热过程，所以取x=0．15。 2 2实验测试系统 对SiGe 不同的EB结反向应力以及不同的集电极偏置下对HBT进行加速退化实验；另外，还考察了器件在热应力 作用下的退化情况，其环境温度由程控温箱提供。实验采用程控全自动测试系统。该系统用PC计算机作 主控器，以国际通用接口(HPIB)IEEE488总线为数据通讯基础，用惠普专用可视化编程软件HPVEE编制 幕上并存成数据文件。系统框图如图2所示。 _厄景亍亚天孚r究生科技基金资助课题(YKJ一2004-14) 1020 现代电子信息技术理论与府用 E i-SlGe