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2.2 器件物理基础与晶闸管的额定参数 (第三讲) 2.2.1常用开关器件及分类 2.2.1常用开关器件及分类 按照器件关断方式可分为： 换流关断型( Thyristor ) ——利用施加反向电压使电流反向而实现器件关断。 自关断型( 功率晶体管、GTO、电压型器件 ) ——仅通过在控制端和公共端之间施加一正的电压信号实现导通，施加一负的电压信号实现关断的器件。 2.2.1常用开关器件及分类 按照器件触发方式可分为： 电触发型(Thyristor、MOS器件) ——门极用电信号来触发使其开通的器件。 光触发型(LTT) ——用光直接来触发使其开通的器件。 热触发型(温控晶闸管) ——当温度达到某一值，热激发使之开通的器件。 2.2.1常用开关器件及分类 2.2.1常用开关器件及分类 2.2.1常用开关器件及分类 (3)晶闸管的额定参数 2.2.1常用开关器件及分类 电流额定值 通态平均电流 IT(AV）——允许流过的工频正弦半波电流在一周期的平均值。 维持电流 IH （Holding Current) ——维持晶闸管导通所必需的最小阳极电流(通→断)。 擎住电流 IL (Latching Current)——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL＞IH。 浪涌电流ITSM (Surge Current)——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。 2.2.1常用开关器件及分类 门极额定值 门极触发电流IG ——晶闸管由断态转为通态的最小门极电流。 门极触发电压VG ——指产生门极触发电流所需的最小门极电压。 2.2.1常用开关器件及分类 动态参数 断态电压临界上升率dV/dt ——指在额定结温和门极开路和正向阻断的条件下，器件在单位时间内所允许上升的正向电压。 通态电流临界上升率di/dt ——指在规定条件下，晶闸管开通时在单位时间内所允许上升的最大电流。 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 (1)晶闸管结构及等效电路 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 等效电路 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 晶闸管导通需具备两个条件： 正向偏置； A、K间有“＋”的信号。 晶闸管关断亦需具备两个条件： 阳极电压反向或过零； 流过A、K间的电流小于IH 以下。 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 先讨论四层两端器件 正向偏置的pnpn四层两端器件具有两个特点： ①具有通态和断态两个稳定状态； ②有负阻现象。 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 雪崩区：当外加电压上升到接近J2结的击穿电压VB时，空间电荷区内电场变得很大，引起雪崩倍增。反向产生电流通过势垒区由碰撞电离而增加M倍。通过J2结的电流由原来的反向电流转变为由J1、J3结注入的载流子经过基区后衰减而又在势垒区倍增了的电流。 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 负阻区： 当外加电压大于转折电压时，势垒区内雪崩倍增产生大量的电子空穴对，这些载流子受反向电场的抽取作用，电子进入n1区，空穴进入p2区。由于不能很快复合，将使J2结两侧产生载流子积累，即p2区有空穴积累，n1区有电子积累以补偿离化的杂质，使空间电荷区变薄。p2区电位升高，n1区电下降。降落在J2结上的电压减小，雪崩倍增减弱，J1、J3结的注入增强，从而出现电压减小、电流增强的负阻现象。 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 通态区： 由于上述积累增加，J2结电压下降直至M=1雪崩倍增停止时，仍能维持使p2区相对n1区为正，J2结倒向，三个结均处于正向，有类似二极管的正向特性。 反向阻断区：反向电压由J1结承担，与单个pn结反向特性相似。 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 (3)导通机制 2.2.2 pnpn器件导通物理过程 P2 区有空穴积累，即 晶闸管正常工作时的特性总结如下： 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 (1)图示电路,晶闸管的IL =15mA，要使晶闸管导通，门极脉冲宽度至少应为多少？ (2)型号为KP100-3，IH ＝4mA，使用在下述电路中是否合理。为什么？(不计裕量)  题例: 本节要