石墨稀對P型GaN歐姆接觸特性之研究的论文.pdfVIP

石墨稀封P型GaN欧姆接桶特性之研究 l柬隆建方劲智林史璋詹博舜 台北科技大季光鼋工程系 台北市忠孝柬路三段1虢 一、 前言 近期政府调派雹横，乌了筇约能源，骚光二桎醴(Light-EmittingDiode，LED) 固憨照明快速凳展，其特性具有髓横小、耐衡擎、毒命畏、可靠度高桎低鼋屋低 鼋流操作等，遣些特性使得LED癀泛魔用在室内照明、交通指示澄、建禁照明、 卓用照明。 市面上白光光源大多乌袋蓝光的氮化镓骚光二桎矬混萤光粉而成，所以研凳 高亮度、高效率的氮化嫁蚤光二桎髓成岛擎衍界和桨界共同努力的目棵。目前提 高氮化镓蹬光二桎箍晶粒袋光效率的技街有：二次成畏(Regrowth)、表面粗他 Area (SurfaceRoughness)、大面稹元件(LargeChip)、光子晶髓(photoniccrystal))。 目前氮他镓骚光二桎醴的基板都以蓝蛮石岛主，P型和N型鼋桎药同侧方 向，且是由主勤詹向上蚤光，因此舍有部分的光被p-GaN鼋桎、透明萼鼋屠以 及雹桎垫阻揩和吸收，使得骚光效率降低。岛了改善此缺黠，将光由蓝膏石基极 端取出，由於蓝膏石基板是透明的，提高了凳光效率，造獯方式岛覆晶式 (Filp—Chip)磷光二桎鳢，覆晶式黉光二桎髓具有下列僵黠：(1)不必考虑鼋桎垫的 遮光效虑。(2)将原本向下的光缘藉由反射式鼋桎将光引萼向上增加翳光效率。(3) Stud 雹桎朝下，借由各獯凸瑰(GoldNump)舆基座结合，覆晶元件所座生之热能 透遇接合凸堍(Bump)傅萼至高萼热性的覆晶子基板，再散逸至外，可改善蓝膏 石基板散热不佳之问题。而在金届材赏中，银、铝和鲐等都具有反射率，其中银 在整佃可见光波段有90％以上的高反射率∽l，通合做反射式鼋桎。而利用Ni／Ag 来裂作p-GaN的欧姆接髑也具有较佳的特徵接髑鼋阻值141，但是，银反射盾逶有 其他的髑题存在，全届雹桎的热稳定性药急需解泱明题。空氟中退火温度超遏 ．88． ● (voids)t51，而片鼋阻值也随温度上升而急速上升。不遭绩的岛状银聚集造成不穗 定的特徵接躅鼋阻，甚至影孥到反射居的反射能力，颞示不速绩的岛状的银：聚集 是破壤金属鼋桎热穗定的主因。因此如何解泱反射屑退火後运具有高反射率且和 p-GaN形成欧姆接蠲是佃重要的凝题。 tin 铟锡氧化物(Indium p-GaN耆作透明尊鼋鼋桎，但由於铟的债格逐年增高，在化擎及酸中稳定性【6-7】， 所以近畿年渐渐舆石墨烯雨者择一运用。石墨烯功函数约4．5—4．9ev[8】，且在高温 具有较佳的热稳定性，可以减少银退火魔理下所造成的圈聚现象。而其裂借方式 很多，其中以化学氟相沉横法(Chemical vapor 高危除性存在。因此本研究探用射频磁控溅镀法裂借多居氧化石墨烯，利用熟氧 化退火送原方式，蒋燮回多屑石墨烯，方法较焉安全。韭将多居石墨烯沉稽在银 舆鲧薄膜上，降低银在热退火中圈_聚的效虑、增加热穗定性。 二、 石墨稀结棒舆特性 石墨烯(graphene)Y,．耩罩厝石墨，是一獯徒石墨材料中剥雄出的罩屑碳原子 面材料药罩屑的碳原子紧密规则排列，每佃碳原子舆最郯近的三倜原子形成三徊 sp2混成的6键，碳舆碳嗣距约在1．42A Bo】，碳原子躅以sp2轨域互相键结形成 六角碳缳，剩馀一佃垂直於平面的P孰域可以共债键舆周圈的碳原子形成7c键， 然後延伸形成如蜂巢晶格的二维(2D)片状平面结耩，如固一。由石墨烯的耩成可 耩巴克球)，掩曲成一维(1D)奈米碳@(carbon 石,墨,,(Graphite)[11】，如固二。 ．89． 固一石墨稀结耩[11】 2DGraph,me 弼j _j