CrSi2能带结构与光学性质的第一性原理研究.pdfVIP

周士芸等：CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究 CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究水 周士芸1，一，谢泉1，闰万琚1，陈茜1 摘要：采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT) 赝势平面波方法，对crsi2的能带结构、态密度和光学 性质进行了理论计算，能带结构计算表明crsi2属于一论研究，得到了与实验值吻合的间接带隙值O．35ev。 种间接带隙半导体，禁带宽度为O．353eV；其能态密度 目前有关Crsi2电子结构的理论研究在国外虽有为 数不多的报道【8’9】，但涉及光学性质方面的理论研究却 主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决 定；计算了Crsi2的介电函数、反射率、折射率及吸收 系数等。经比较，计算结果与已有的实验数据符合较好。 算自洽缀加球面波方法对CrSi2的复介电函数、吸收系 关键词： CrSi2；电子结构；光学性质；第一性原理 中图分类号：1N302；047 文献标识码：A 在1992年利用半相对论线性化的mu施n．曲球轨道方法 和椭偏光度法对CrSi2的复介电函数、反