InAs%2fGaSb+Ⅱ类超晶格红外探测器研究.pdfVIP

邀请报告 I nAs／GaSbI类超晶格红外探测器研究 陈建新，徐庆庆，周易，金巨鹏，林春，何力 “*mm¨H；##tA女女{．十目##＆±#＆$自月RⅢ t*m^Ⅲ镕500日．t*．200083 自十口#：ⅡMi＆№Ⅲ!nditg坐 $#mmTHfm《*$±K[】l^s／6zSb目日镕镕■*H#＆#镕N《自自№}＆％目RR“J※Ⅲ¨H^}＆F憷 《十^#《*．镕#自fBm‰、x#＆≈B*N#m#±日日A自*#T Md*¨#∞#rm*《±k$m，#≈7RHf目十#∞j #Ⅲ女十＆目**∞自*wW###．＆■d#Tan＆“． **目Ⅲ自／“sbiI*《**“*镕*口．”fm*Ⅱ I引言 InAs／GaSbII类超品格是近年来发展飞 II实验结果与讨论 速的IIIv族打外探测技术，它是当前唯一 中科院上海技术物理研究所下2007年 理论上性能超过碲镉汞的材料技术。1970开始了InAs／6ashII娄超品格的试骁性研 年代．Sakaki和EsaI【1提出了111As／Gash究，并于2009年从法国引进了一台8iber II类超晶格的概念“，1987年Smith和 c(m』，州I21T分子束外延设备开展 Hallhiot提出了将该¨粪超晶格材料用于InAs／GnSb1l类超品格的材料生K于器件 豇外探测的设想”。。InAs／GaSb异质材料体探索。在实验中，我们采用裂解的As2和Sb2 作为v族束源，用固态的Ga和I¨做为III 系能带排列结构是InAs的导带底在GaSh 的价带项之r，构成“破带隙”II类超品格。 族束源。牛陡温度约在400-4500之n|J。由于 改变超品格的削朋，它的响虑截lr波长可以 TnAs和GaSh之问存在062％(6a／a)的品 在330～范围内连续变化。随着分f束外 格失配，而且ln16s和GaSh之间没有拱柯原 延材料生长技术的进步．人们能够研制出高 子．因此，田此科学地设计和精确地控制 InAs层与GaSb层之间的抖山『结构是获得与 质量的超晶格材料和探测器。]990年Chow 等人首次报道了高质量的具宵长波红外响 Ga911良好品格匹配和优怠光学性能的超品 应和长波红外光荧光的InAs／GalnSb超品格格材料的关键。我们采用x射线烈晶衍射、 材料“’。1996年，Jonshon首次报道了相村光学显微镜、原子力显微镜、透射电镜、 InAs／GaSb II类超品格红外探测器“1。】997吸收光谱和此致荧光光谱仝而地分析和评 年美国西北大学报道了生长在GAs村底上 价了1I类超晶格的晶格结构、表面形貌及 的II类超品格探测器”1。第一个概念性的 光学性能。 9扎／Gasb 超晶格焦平面探测器r2003年研制成功”1． 图1为一100周期的InAs 2004年德国报道了截止波长为5Pm的高性12ML超品格的x射线u～20扫捕曲线。衬 能焦平面探删器1’。2006年K波红外焦甲面底峰和零级峰位置牡奉前台， △a／a_1 探测器研制成功。本文将简要介绍 5×101，说明通过优化界面结构可 inAs／GaSb iI类超品格红外撵测技术的基 以基本消除衬底与超晶格材料之间的品格 奉原理，材料制各技术以及我们近期在该^ 失配。图中零级峰的双品半峰宽为22弧秒． 向开展的丁作和初步结粜。 Ⅱ示超品格具有良好的品体坌{i构完整牲。 图2 11类超品格材料的原子力显微像