直流磁过滤电弧沉积氮化铝薄膜研究.pdfVIP

笫35卷，增刊 红外与激光工程 2006年10月 V01．35 InfraredandLaser 0ct．2006 Supplement Engineering 直流磁过滤电弧沉积氮化铝薄膜的研究 梁海锋1一，周扬1，严一心1 (1．西安工业大学薄膜技术与光学检测重点实验室，陕西西安710032； 2．西安交通大学电子物理与器件研究所，陕西西安710059) 摘要：利用直流电弧技术在硅基片上制备氮化铝薄膜，研究了薄膜的折射率、消光系数、透过率和沉积 速率。薄膜的光学折射率、消光系数、厚度通过椭偏法测试并拟合得到；薄膜的透过率谱通过傅里叶变换红 外光谱仪测试，薄膜的沉积速率通过厚度的相应时间计算得到；利用柯希模型来拟合测试得到可见区光学常 数，外推得到薄膜在整个近红外、中远红外的光学常数。结果表明：薄膜的折射率随工艺参数的不同有较大 nm 的变化范围，并且薄膜在较宽的光谱范围内消光系数为零；薄膜的沉积速率达到85 minl，单面镀制氮化 铝薄膜的硅样片的峰值透过滤达到了69．2％。 关键词：氮化铝； 光学常数； 沉积速率 中图分类号：0484．4+1文献标识码：A 文章编号：1007．2276(2006)增B一0206—05 AINfilms Darc preparedbyC deposition LIANG Yi—xinl Hai—fengl’_，ZHOUYangl，YAN (1．Xi’all university,Xi’all 710032。China) technological 710032，China；2．Xi’allJiaotonguniversity,Xi’all Abstract：AINfilmsare onsiliconsubstrateDCarc andthefilms’refractive grown by deposition index， extinction and rateareresearched．The indexand index，transmittance films，refractiveindex，extinction deposition the the thicknessare transmittancearemeasured rate acquiredbyellipsometry,and FTlR，anddeposition spectrum by iscalculatedin the and constantsofthefilmsatinfraredare fdms，thickness using depositiontime．Optical resultsshow determined the