運用於砷化鎵製程之一種新型微小化、高耦合量方向耦合器設計研究.pdfVIP

運用於砷化鎵製程之一種新型微小化、高耦合量方向耦合器的設計研究 陳志強(Chih-Chiang Chen) 何紹安(Sao-An Ho) 逢甲大學 電機工程學系 cchiang@fcu.edu.tw 摘要 遷移速率約為矽元素的六倍，且具有功率高、耗電量 本文提出一種新型的設計方式來改善傳統設計方 小及不失真的特性，因此在極高頻、低雜訊及高功率 向耦合器佔用面積過大及受製程限制不易達成高阻抗 之高頻元件的製造上，遠比矽元素合適，故近年來高 及高耦合量的問題：首先，運用一種新型的二維 頻無線通訊元件的生產，多採用砷化鎵的技術模式， (two-dimensional, 2-D)近橫向電磁模(quasi-TEM)傳輸 包括手機之功率放大器及 LMDS （Local Multipoint 線(transmission line, TL)— 一種由微帶線(microstrip Distribution System ）、衛星通訊等高頻產品，更廣泛地 line, MS)與共平面波導(Co-planar Waveguide, CPW)合 運用於 20 GHz以上的各式無線通信單晶微波積體電 成的傳輸線結構，來設計此種砷化鎵薄膜製程之高特 路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)的開 性阻抗傳輸線及微小化方向耦合器，其電路緊湊地佈 發應用上。方向耦合器在微波量測、應用系統中是常 局相當利於系統電路的整合縮裝設計；之後，採用一 見而且重要地被動電路元件，它時常被用來作為具有 種邊緣耦合(edge couple)與垂直耦合(broadside couple) 方向性地能量分配及耦合監測的元件，佔著相當重要 混合的耦合機制，來提高耦合量且同時滿足相關製程 地角色。典型的方向耦合器係由兩條四分之一波長傳 設計要求(Design rules) ，設計出微小化、高耦合量之 輸線鄰近耦合組成的四端埠網路，具有互易性且四個 方向耦合器。相關設計係採用三維(3-D)電磁全波(EM 端 埠 輸 入 阻 抗 均 匹 配 的 特 性 ； 而 高 耦 合 量 (high Full–Wave)有限元素法(Finite Element Method)來模擬 coupling)的方向耦合器可提供耦合埠較高的功率輸出 分 析 ， 並 採 用 WIN 0.15μm GaAs PHEMT 及耦合埠與傳輸埠輸出信號間 90°的相位差，在正交 (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, 調變的無線通信、雷達及感測系統中廣泛地被運用 PHEMT)製程來實現，進一步驗證此耦合架構的可行 [1] 。耦合線(coupled-line, CL)通常係由兩條傳輸線互 性。 相靠近產生耦合而組成，為了符合一般系統的規格需 求，高耦合量成為現今方向耦合器發展的趨勢。在砷 關鍵詞: 砷化鎵 (Gallium-Arsenide, GaAs) 、互補式金 化鎵積體電路製程中，有許多的參考文獻採用多層結 屬 氧 化 物 半 導 體 (Complementary 構/多重導體(multi-layer/multi-conductor) [2]-[4]以及堆 Metal-Oxide-Semiconductor, COMS) 、方向耦 疊耦合(broadside-coupled) [5]-[9]的技術使耦合線來達 合器(Directional Coupler, DC) 、近橫向電磁模 到趨於