一种基于阻隔层新型一步蒸镀P面电极结构研究.pdfVIP

中凼光学光电子行业协会光电器件分会 第十一届全园LED产业与技术研讨会 一种基于阻隔层的新型一步蒸镀P面 电极结构研究 万金平．龚振、 刘淑梅．胡燕燕 南昌欣磊光电科技有限公司 江西南昌42信箱330012 摘要： 本文报道了一种低成本、操作简便且低接触电阻的P型GaP欧姆接触电极 结构，通过在掺的zn的P型GaP表面一步蒸镀带有阻隔层的P面电板结构，再在氮 气环境中金属化，在形成蒸镀金属与GaP表面的欧姆接触的同时保证^u层压焊性。该 结构电极与常规结构的蒸镀电极相比，具有操作简便、成本低的特点，适用于LED芯 片的规模化生产。 E 关键词：一步蒸镀；阻隔层；L D芯片，欧姆接触； 一．引言 短、成品率高。但缺点是AuBe合金在高温合金时Be 原子会向上面的Au层扩散，导致高纯Au层纯度下降， LED(1ightemittingdiode，发光二极管) 具有的发光效率高、寿命长、响应快、易于集成等 可焊性显著下降·。为了降低这种不良影响，一步蒸镀 一系列优点使得其在近年来得到了极为快速的发展。 法在蒸镀时的Au层较厚，一般在20000／＆以上，相比 在LED芯片的生产中，金及其合金是制作过程中的主 二步蒸镀增加了80％左右的Au用量，不利于降低成本。 要原材料之一，在生产成本中占有较大比重。随着近 本文在一步蒸镀工艺的基础上采用新型的蒸镀结 年来LED产量的不断扩大及国际贵金属价格的不断攀 构，在AuBe欧姆接触层与Au压焊层之间加入适用的 高，人们越来越迫切地需要寻找降低贵金属用量的方 阻隔层，通过阻隔层的吸收以阻止高温合金时Be原子 法。 向Au层的扩散，从而达到减少Au层厚度、降低生产 成本的目的。 当前LED芯片的电极制作方法主要有两种：一步 蒸镀法和二步蒸镀法。一步蒸镀法是在覆有丝网(丝 网上刻有所需图形)的外延片表面一次性蒸镀AuBe—二．试验 Au结构后去除丝网，从而形成所需图形；二步蒸镀法 本文试验的材料1为常规GaAIInP四元系红光外 是通过湿法腐蚀先制作出电极图形，然后再在其基础 延片，材料2为常规GaP二元系红光外延片。 上蒸镀Ti／Au压焊层。一步蒸镀法与二步蒸镀法相 带阻隔层的电极结构是在SR—lO型电子束蒸发台 比，其优点在于电极图形一次成形且操作简便、周期 中制备的，本底真空为8．0×10‘4pa。首先利用常规化 一86— 一种基于阻隅层的新型一步垂镀P面电扭姑构研宅 学洗淑对外延片在晰进}r7r‘f洗，冉n：糖冉＆M的外越 片I，袁Itn依次越镀AuBe联I sooj,、阻酮联。ou^、Au ／ 臌1ooooA，形成所需的盘属站构。完成8-麒金Ⅷ的 藏镀后土除”州后形成所，SP血电微，N收脚仍最用常 ／ 规燕镀打，℃J口成K晰啦蝌接触金植。然后将样．％材料放 ／ 爿赴、，环境r进{r参属化处理，其洲Vi材料的小同所 ／ 泵川的温度、时问也各不相同，“慢世样品1及样品2 均，B成所需麒姆接触。鞋后将外越片娜割墟单个LED占 7