平面工艺半导体Si探测器的研制.pdfVIP

全国核仪器应用核探测技术核测量方法学术会议论文集 theChinaConfet∞nce011NuclearInstrument Proceedin铲of Detection Application＆Nudear MeasurementMethod Technology＆Nuclear 平面工艺半导体Si探测器的研制 ， 谭继廉1，靳根明1，段利敏1，卢子伟1，袁小华1， 田大宇2，宁宝俊2，王玮2，张录2 (1．中国科学院近代物理研究所，兰州7Y瑚0；2．北京大学镦电子所北京100871) 摘要：叙述了用平面工艺研制用于核物理实验和空间带电粒子探铡的半导体Si探测器的制备工艺、技术，并培 出了性能测试及应用的部分结果。 关键词：平面工艺；半导体；si；探测器 用平面工艺制备半导体si核辐射探测器， 清洗后在1030℃下生成700nm的氧化层。 最早出现差不多与面垒工艺同时，但由于当时 2)光刻探测器灵敏窗口(留下70nm的薄氧 单晶硅材料和半导体工艺水平的限制，使它从 化层作为表面注人的保护层)。 出现以后的20年间未能引起人们的重视。直 3)离子注人。探测器开窗的区域注人B+离 到80年代初．德国慕尼黑大学的J．Kemmer教子．退火形成P—N结。 授充分利用当时制备半导体MOS器件的工艺 4)去掉基片背面的Si02层．注入磷离子 成就，解决了一些关键性的工艺难题，使核辐射 (高浓度)．退火形成欧姆接触。 搽测器的性能提高到一个崭新的水平。有关发 5)注B的P+面刻孔，溅射Al，低温合金形 达国家利用该技术成功地制造出带电粒子探测 成电极。 器、7一x射线探测器、位置灵敏探测器、si微条 6)氧化区域反刻去掉^l层。 探测器等，还促进了CCD器件，蓝光、紫外光探 7)注磷的N+面Al金属化 铡器及其他一些光电器件的发展。2003年以 该工艺流程必须在优良的微电子工艺线上 来，我们和北大微电子所合作利用该技术研制 完成，每一步都十分重要，要求也非常严格。 成功si多条探测器，性能优良。已成功地应用 于核物理实验。并研制了用于空间探测的带电 2平面工艺制备si核辐射探测器种类 粒子探测器和基于si多条的两维位置灵敏探 2．1新型空间带电粒子探测器 测器。 根据任务的要求。我们研制了灵敏面积为 l平面工艺技术制备半导体探测器的主 1000pro多种规格的探测器。探测器的性能测 要工艺 试主要包括电特性，探测特性及某些特殊。环 根据使用者对不同厚度探测器全耗尽电压 模”试验。所给出的结果也只是其中的几个例 的要求而选定不同电阻率的N型si材料。本子。 研究中所使用的都是双面抛光的直径为10． 2．1．1探测器的电特性 16zm(4英寸)的优质N型Si片。 1)反向漏电流： 主要工艺流程： 图1示出了05—9—450(厚450pro．灵敏面 1)表面氧化(钝化)，标准的4英寸硅片经积≯8m)探测器的反向漏电流随所加工作偏 ·108· 压的变化关系曲线。由曲线可见，当工作偏压 是最重要的。本文所描述的探测器已经受高达 60℃的较长时间的考