氮化硼薄膜在退火相变中地应力研究.pdfVIP

张晓康等：氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究 氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究枣 张晓康1，邓金祥1，王瑶1，陈光华2，郝伟1，侯碧辉1，贺德衍3 3．兰州大学物理科学与技术学院，甘肃兰州730000) 摘要： 利用射频溅射系统在p型si(100)衬底上制备 2实验 氮化硼薄膜．对其进行600～1000℃的常压下N2保护 退火．通过傅立叶变换红外谱(Fr取)分析，发现 采用传统的射频(r．f．)溅射系统制备BN薄膜。靶材为 hBN．cBN．hBN的可逆相变．通过不同温度退火后立方 相横光学振动模式峰位的移动，计算了氮化硼薄膜中残 余应力的变化．发现沉积后退火很好地解决了高立方相 6cm。衬底之下依次为钼偏压片，加温炉和样品台。通 氮化硼薄膜应力释放的问题，可提高立方氮化硼薄膜在 过一个含有13．56MHz射频发生器的匹配电路连接阴、 硅衬底上的粘附性．并且探索性地讨论在退火过程中 阳极。用外部磁线圈产生的磁场来约束等离子体中带电 c．BN成核、生长与薄膜中应力变化的关系。 粒子的运动，以增加靶与衬底之间等离子体密度。在正 关键词： 氮化硼薄膜；退火；傅立叶变换红外光谱； 式沉积之前引入预溅射，以便(a)活化与净化衬底表面， 应力 (b)提高BN薄膜的黏附性。样品预溅射与沉积参数如表l 中图分类号；0484 文献标识码：A 所示。 文章编号： 1001．973l(2007)增刊一3901．03 表1样品预溅射与沉积参数 in 1ablel The ofadVance 锄d 1 引 言 par锄eter sputtemg 氮化硼系统中的立方相(c．BN)具备许多优异的物 工作 工作气压 时间 衬底负 衬底 射频功率 温度 理、化学性能，诸如硬度为50～70GPa，仅次于金刚石： 专筋 (Pa) (H1in)偏压(V) (W) 预溅射 Ar 1 12 280不加 300 优良的高温抗氧化性；对铁族元素低的化学活性；高热 第一步 5 180不加 导率(理论值为13wK4cm。)等。c—BN属于宽带隙半 舡 1．35 15 220不加 400 第二步 导体材料(最=6．4ev)，可实现P型与N型掺杂。因第三步 45 160不加 此它的薄膜在超硬保护性涂层、耐高温、高频、大功率 将直接沉积的BN薄膜样品经过红外光谱测试之后 光电子器件等领域具备广泛的应用前景。然而，使用各 立刻进行退火热处理。先将退火管抽到2．67Pa以下， 种物理，化学气相沉积方法制备的氮化硼薄膜中普遍 残存本征应力，并随着立方相含量的增加而增加【l】。由 处理。样品出自同一次溅射沉积过程，确保不同温度下 于这种原生的残余应力的存在，当薄膜厚度超过大约 退火样品的同一性。在所定温度保温45缸n之后自然降 150nm时，常出现薄膜本身爆裂破碎甚至完全脱落的现温。全程处于正压下N2保护。每炉同时放