电容自耦式紫外预电离开关地研究.pdfVIP

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电容自耦式紫外预电离开关的研究 陈瀚,杨汉武,张自成,张江华,左杨波 ( 国防科学技术大学 光电科学与工程学院,长沙 410073) 摘 要:本文对紫外预电离技术在气体开关方面的影响进行原理研究,分析并实验验证电容并联的辅助电极对 主开关进行紫外预电离的可行性。文献表明,辅助电极击穿之后会释放紫外光,其照射在主电极表面通过光电效应 为主开关的击穿提供初始电子,以减小主开关的击穿电压抖动。此外优化合适的分压参数可以提高光照强度来增强 预电离效果。实验结果表明(主开关内部充满氮气),当分压电容为 pF 量级时,距离主电极 15cm 远的辅助电极可 以产生预电离效应。 关键词:自击穿开关,紫外光预电离,低离散度,电容耦合 气体火花开关在脉冲功率技术中有着广泛的应用,决定气体火花开关性能的一个重要指标就是其击穿时延和 抖动,预电离技术是解决开关的抖动问题的有效途径之一。相比于外触发式的预电离,自耦式预电离开关不需要 提供外部触发电路,结构相对简单,有效结合了自击穿开关和触发开关的优点。美国的 John T. Naff 总结了各种 [1] [2] 类型的紫外预电离开关 ,国内西北核技术研究所的李俊娜也提出了相关的自耦式紫外预电离开关的方案 。 本文对紫外预电离机制进行了原理分析,指出影响紫外预电离效果的各个因素。实验中通过对辅助电极参数 的调节改变紫外光产生时刻和强度,以配合主开关的击穿,有效改善主开关导通的特性。 1 开关延时与抖动 [3] 在均匀电场中 ,流注放电的过程可以分为两部分:(1)电压加载阴极时刻后,产生有效雪崩电子;(2 )雪 [4] 崩电子按指数规律增加,发展过渡到流注。当对静态击穿电压为 U0 的间隙施以脉冲电压时 ,经过升压时间 t0 后,需要经历时延 t 才能完成击。穿开关的放电延时 t 由统计延时 t 和形成延时 t 构成,如图 1 所示。如果没 d d S F 3-s-Pa [5] ,因此对于均匀场来说, 有紫外光的照射,初始电子主要是由宇宙射线辐射产生,其电子产生率为 100/m 其击穿过程的初始时刻可视为单个有效的初始电子的出现时刻。 Fig.1 Different species of time delay among gas breakdown 图 1 气体击穿过程中的各个延时 4 [6] 在达到直流击穿电压之前,如果通过预电离技术使阴极附近产生 10 或者更多个有效初始电子数 ,气体放 [6] 电的类型就转变为多电子雪崩放电(初始电子数 Neo1 ),击穿电压离散度就会降低。根据文献 ,延时期间的 弱电流 Id V/Z0 (Z0 为输出负载等效阻抗),假设电离系数 α和电子的漂移速度 ve 为常数,d 为间距,初

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