关于SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构地研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 关于Si02软击穿后电流路径的微观几何结 构的研究 谭长华 许铭真 北京大学微电子研究院，北京，100871 软击穿(SBD)效应是5nm以下的SiO。主要失效模式。于是，软击穿就成为现代超薄 绝缘栅集成电路的关键可靠性问题之一。人们对击穿时的电流路径有过多种猜想和称谓： chainofthe 微丝(Filament)、原子链线(Atomicwire)，电子漏斗(Electronfunnel)、 原子尺度的沟道(Atomic—sizechannel)、短路(Sortingpath)、渗流通路(Percolation path)等等。人们都认识到SBD电流路径是一个微小的空间，其微观结构并不清楚。直到 1995年Degraeve[1]在IEDM会议上首次报导了用渗流模型并借助MonteCarlo方法计 算出击穿后的SiO：电流通路，其直径约为0．9nm，即一个缺陷的尺寸。后来，DiMaria等 又认为缺陷直径取2．7nm更合理[2]。这才引起人们的广泛注意，并进行了研究。但是报 导的结果是10叫…。10。18cm2[3]范围，非常分散。那么，什么样的数据是合理的?这引起了 人们的格外重视。因为SBD发生时器件尚能工作，能工作多久取决于SBD通道的耗散功率 式中，J为SBD通道电流密度，o为SBD通道的电导率(单位体积 密度，即P=J／仃2， 消耗的功率W／cm=)，显然，10—2与10。1“cm2通道面积引起的功率密度比为106，这样大的功耗 比是难以接受的。因此正确地测定SBD通道的几何形状就成为SBD微观结构研究中的重要 课题。目前，SBD通道有两种结构类型：边长为a的正方形原胞柱体(Cubiceell)，其 截面积为a：，和直径为a的圆柱体(Cylinder)，其横截面积为ga2／4。一个SiO：厚度为 Tox的SBD通道的体积比为1．27，在数值上很接近。但是，圆柱体似乎更合理些。因为，在 SBD击穿光斑的实验观察中，很难有方形光斑出现。需要指出的是：这种通道直径的确定 是比较粗的。我们知道，载流子在SBD通道中运动将与缺陷相遇而发生散射，其散射截面 与缺陷尺寸相关。若缺陷直径为凡，其散射截面为尢Rs：／4，这仅是经典力学的结果。以量 子力学为基础，当电子与库伦型的电离杂质相遇而经受散射时，其散射截面与电子的动能 相关，不再等于缺陷的有效横截面。利用Conwell-Weisskopf模型，在电子能量不超过声 学光子能量(0．153eV)时，其散射截面为(2兀R。2)，即通道截面积为半个缺陷球的表 面面积，比经典通道截面大一倍。图1是SBD通道横截面示意图。以边长为a的正方形原 胞通道横截面积为a2；内切圆的横截面积为ga2／4；这就是传统定义的SBD通道横截面积。 在考虑了载流子散射效应以后，其有效横截面积为ga!／2，其效果等效于正方形之外接圆面 积，即比传统定义的两种SBD通道的横截面积都大。若R。=2．48nm[4]，则通道截面积 A=IO叫3cm2。这是本文用电学方法确定的一个合理的值。用本文的SBD通道模型，耗散功 率密度将小四倍，改善了可靠一陛。 173 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 图一、SBD通道横截面示意图 (AB=口，CD=口√2) 参考文献： 1995。 863． and 1999． [2]D．J．DiMariaJ．H．StathiS，Appl．Phys．Lett．，74，1752 [3]J．Sune，E．Miranda，and X．Aymerich，Appl．Phys．Lett．，75，959，1999． [4]M．Z．Xu，C．H．Tan，Appl．