4H-SiC日盲紫外探测器的模拟与分析.pdfVIP

4H．SiC日盲紫外探测器的模拟与分析 叶丽辉，张玉明，张义门，吕红亮，孙明 (西安电子科技大学微电子研究所，宽禁带半导体防科与器件教育部重点实验室，西安，710071) 摘要： 利用BE软件模拟了4H-SiC pin光电二极管El盲紫外光探测器电学特．陛，得出光电流密 度在lo．7A，心与实验结果吻合较好，验证了模型的正确性．另外，模拟了器件尺寸对电流电压曲 线的影响，得出在探测器不需使用较大受光面积器件的结论． 关键词：4H-SiC；紫外光探测；吸收系数 1引言 紫外辐射在电磁辐射中占据着10nm--一400nm的波长范围，在此波长范围内紫外辐射具有与可见光完 全不同的物理特性和效应，因此，紫外探测器在空间技术、材料分析、天体物理、环境监测、医疗卫生、 紫外天文学、火灾探测和军事等方面的应用都具有重要意义。日盲探测是指探测波长在245—280mn范围的 辐射光，在这个波段范围内的太阳辐射由于臭氧层的吸收，几乎完全不能到达地面，因而可以在没有背景 干扰的情况下准确地探测到信号。同时，-CH和-OH燃烧，如燃油，森林火灾；火箭羽烟；高电场弧光； 等都会在这个波段释放出紫外线，因此，日盲紫外探测非常重要。 现在比较常见的紫外探测器研究是对GaN紫外探测器的研究。对于广泛应用的光阴极探测器，量子 制造，但其禁带宽度为3．0eV，而4H．SiC为3．2，更具本质日盲的特征，且在日盲波段有很高的光响应灵 敏度。但是用于制造紫外探测器目前还多停留在理论研究阶段。 本文的研究主要是在245—280nm的日盲紫外波段的探测。实验研究工作已经有—些报道，但多是肖特 基二极管制作的紫外探测器，因而本文采用PIN结构的日盲光电二极管模拟了器件在反偏下电流电压的关 系及光电流。 2物理模型 1019cm-3， 上面是p电极，下面是n电极。为了吸收电场均匀，P电极分成两部分。其掺杂浓度分别为p+层2X I层l×1016cm-3，n层7AXl015cm-3，衬底1X102【)伽-3 图1器件结构示意图 644 本文主要通过求解泊松方程和电流麟性方程得出结果。考虑丁两种复台机制：俄歇(A岵目)复合和 SRH复合。在连续性方程中．采用了低场迁移率模型。对于光的吸收和反射部分．采用品啪舻生模 型模块进行#}拟。 对于—个探测嚣，为了探测更精确，需尽量减小其噪声因素，噪声因素F由(1)式表示： F：坐2：KM+f1．K)(2．上) (1) (M)‘ M 空穴注^为主时，K为电子碰撞电离率(％)与空穴碰撞电离犁(吒)的比值。反之·n掺杂时 K值为空穴碰撞电离率(盯D)与电子碰撞电离率(嚷)之比。为了壤小化APD的过剩噪声．半导体器 件结构应最小化K值。sic空穴碰撞电离率要比电子碰撞电离率明显的高{21，为了最小化由于光波动引起 的过剩噪声，设计APD应该使K值尽量小。考虑这些因素，4H-SiC应该使用p层作为受光面％ 由于量子效率随活动光子吸收区的增加而增加，所以表面吸收区．包括扩散区的电子和空穴和耗尽区 都应该尽量宽。因而增加了I层，相当于增大了耗尽区。但是紫外光波段的光子能量较高(3卜自盼cv)． 4H_siC吸收系数叉较太，所以入射光在器件表面很薄的一层就被吸收，因此受光而不能太厚(约零点几个 微米)。 对于器件模拟，考虑了光在器件表面的反射与折射，还有器件内对光的吸收。光产生部分，采用FJvlLAB 光产生模堍进行模拟，IDdLAB是—个基于时域有限差解决电磁问题的方法。运行F2,一ff．AB模块在允质表 面产生张量网格，输出光产生剖面参量。入射光能随着^射距离的增加呈现指数减小，即 I州(‘五)=k(且)P““ 2) 其中，I删(五)为初始入射处的光能，—口(丑)为材料对相应^射波长的吸收系数。由于吸收系数是光 器件模拟的重要参数，这里采用了比较精确的吸收系数模型； “驴鼍：鬻