直照补偿型反冲质子法脉冲中子探测器.pdfVIP

直照补偿型反冲质子法脉冲中子探测器 张国光h2’张建福h2’陈亮¨张小东”李大海D D(西北核技术研究所，西安，710024) ∞(中国原子能科学研究院，北京，102413) 摘要：采用大面积的平面工艺硅PIN探测器，并结合聚乙烯片，研制了快响应的脉冲中子探 测器。设计的信号补偿电路，扣除了直照信号的本底干扰，提高了探测器的信躁比。 扣除直照后的补偿信号波形没有畸变，实验结果与理论计算在不确定度范围内较为一 致。 关键字：直照补偿反冲质子法脉冲中子探测器信躁比 引言 在fl、Y混合场中，利用Si-PIN探测器测量脉冲中子强度，一般是通过测量中子与聚乙 烯靶上的氢核发生弹性散射产生的反冲质子来实现。为了解决脉冲混合场中快中子的测量问 题，我们研制了大面积的平面工艺硅PIN探测器，利用核反冲法做成快响应的脉冲中子探测 器。由于电流型Si-PIN半导体探测器对带电粒子以及丫、中子等辐射都比较灵敏，为了测准 中子强度，必须扣除干扰辐射对探测器影响。以前标定半导体探测器的中子灵敏度，一般先 要标定Si—PIN半导体探测器的直照灵敏度…。由于在