质子对超辐射发光二极管的辐射损伤研究.pdfVIP

DOI：10．3969／j．issn．1001—3824．2011．01．016 质子对超辐射发光二极管的辐射损伤研究 陆建松 ，王品红 ，田 坤 (1．重庆邮电大学 光电工程学院，重庆 400065；2．重庆光电技术研究所，重庆 400060) 摘 要：介绍了空间辐射环境，利用SRIM程序来模拟计算 10MeV氦离子在GaAs材料中的入射深度与非电离能 损(NIEL)的关系，分析了不同能量质子在不同材料 中的入射深度及不同能量质子对超辐射发光二极管的辐射损 伤对比，计算结果证明了利用SRIM软件模拟不同能量质子对超辐射发光二极管辐射损伤的可能性。 关键词 ：空间辐射损伤；质子；非电离能损；入射深度；超辐射发光二极管 递造成了材料的电离和原子位移，引起了器件参数 0 引 言 的退化 ，因此需要通过必要的措施减少粒子对器件 空间装置的失效不仅来源于LET引起的电离 有源层的损伤。本文主要是模拟氦离子在 GaAs材 效应，而且来源于 NIEL引起的位移损伤效应。其 料 中的非电离能损值，验证模拟方法的可靠性；模 中NIEL引起的位移损伤是导致空间辐射环境 中新 拟质子在不同半导体材料的入射深度 ，并在此基础 型光电器件失效的主要因素 ，NIEL涉及 了不同能 上进一步模拟不同能量质子对超辐射发光二极管 量范围的不同粒子在材料体 中产生的位移损伤，所 的辐射损伤 …。 以NIEL的估算对应用于极端环境下的半导体材料 1 NIEL的计算方法 特别重要 。 半导体材料的体损伤是制约半导体器件寿命的主 NIEL的一般计算表达式为 Tmax 要因素，对此人们开展了大量 的研究。国内，陈世彬 r NIEL(To)=(Na／A)L TQ(T)(do-／dT)dT 等 模拟计算了不同粒子(如中子和质子)在硅 中的 J1m ln (1) 能量沉积；国外，Messenger等 用 TRIM程序、Sum- 式(1)中： 为阿伏伽德罗常数；A为靶原子的质量 mers 等用解释法和TRIM程序、Insoo 等用MCNPX 数；do-／dT为粒子给出具有动能 的反冲和的微分截 程序进行了一系列半导体材料辐射损伤的研究。 面；Q(T)为Lindhard函数，意为反冲核动能中贡献给 地球轨道空间辐射粒子包括地磁场俘获辐射 NIEL的分数； =4r，0m1m2／(ml+m2)；Tm = 带粒子和宇宙射线。地磁场俘获辐射带通常可以 2Ed，Ed为靶原子的位移阈值。 分为内辐射带和外辐射带，内辐射带 以质子为主， 在许多关于质子和氦离子引起的NIEL的计算 而外辐射带 以电子为主，地磁俘获辐射带中质子能 中，常采用Mott—Rutherford截面来表示原子