较高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系.pdfVIP

2009年 9月 安徽大学学报 (自然科学版) September2009 第33卷 第 5期 JournalofAnhuiUniversityNaturalScienceEdition Vo1．33No．5 较高能有效真二次电子 发射系数与入射能量、能量幂次的关系 谢爱根 ，雷 勇，姚义俊 (南京信息工程大学 数理学院，江苏 南京 210044) 摘 要：从理论上论述较高能原电子对金属射程的能量幂次n、入射能量与有效真二次电子发射系 数的关系，然后用实验数据证明该理论的正确性，最后对结果进行讨论并得出结论：入射能量不同但属 于同一个能区的较高能原电子轰击同一个金属发射体时，它们的有效真二次电子发射系数与原电子入 射能量的n—1次方之积近似为一个常量． 关键词：较高能；能量幂次；入射能量；有效真二次电子发射系数 中图分类号 ：0462．2 文献标识码：A 文章编号：1000—2162(2009)o4—0053一o4 在具有一定能量的原电子轰击下，从物体表面发射 电子的现象称为二次电子发射…．通常把能量 小于50eV的二次电子定义为真二次电子，把能量大于50eV的二次电子定义为背散射二次电子 ．背 散射二次电子数与原电子数之比定义为反射系数，真二次电子数与原电子数之比定义为真二次电子发 射系数．真二次电子数与原电子中射入发射体内的原 电子数(除去通过弹性散射或非弹性散射返回的 原电子数)之比定义为有效真二次电子发射系数，常用 [33来表示．作者等人 已论述了高能原电子 (原 电子的入射能量 ≥10keV)轰击金属时 “入射能量与有效真二次电子发射系数的关系”和 “二次电子 发射系数与入射能量和能量幂次的关系”}4]，都认为高能原电子在金属 内的沿程能量损失符合惠定顿 ． ． d 1 定律 ∞一1， 和 分别是原电子的能量与行程；该文根据原电子的射程与其入射能量和能量幂 U D ‘ 次的基本关系式 R=A (1) (式中，R是原电子的射程 ，A是与材料相关的常数，n是原电子的能量幂次，它是与原电子的能区和材料 r|fi／- ， 相关的常数)推导出较高能原电子在金属内的沿程能量损失符合 ∞一 1，然后论述较高能原电子 Q 。 (原电子的入射能量 ≥2keV)轰击金属时金属的有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次n 的关系并用实验数据证明该理论的正确性 (该文中将原电子的入射能量 ≥2keV的原电子称为较 高能原电子)． 1 金属的较高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系 若原电子在发射体中的总行程为 ，．7v(， )是一个射人发射体内(没有通过弹性散射或非弹性 散射返回)的原电子产生的内二次电子数，那么，有效真二次电子发射系数6可以写成 0 = 一 旦7鲁e一出 (2) 0 。。 其中，为吸收系数，吉=A为逸出深度，B是当=0时的几率，是激发一个内二次电子所消耗的平 均能量． 收稿 日期：2008—12—10 基金项 目：南京信息工程大学科研基金资助项 目(QD65) 作者简介：谢爱根 (197l一)，男，安徽芜湖人，南京信息工程大学副教授，硕士生导师，博士 54 安徽大学学报 (自然科学版)