金属的高能二次电子发射系数与入射能量和能量幂次的关系.pdfVIP

第 21卷第 1期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．21，No．1 2009年 1月 HIGH POW ER LASER AND PARTICLE BEAMS Jan．，2009 文章编号 ： lOOl一4322(2OO9)O1一O143一O4 金属的高能二次电子发射系数与入射 能量和能量幂次的关系 谢爱根， 李传起，赵浩峰 (南京信 息工程大学 数理学院，南京 210044) 摘 要： 根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式，推导出金属的高能有效真二 次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式；并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二 次电子发射系数的关系，推导出金属的高能二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式。用实验数据计 算出高能原电子轰击在金或银上时原电子入射能量幂次 ，采用实验数据证实高能二次电子发射系数与原电 子入射能量和能量幂次三者的关系，对结果进行讨论并得出结论：当高能原电子轰击在同一块金属上时，高能 二次 电子发射系数与原 电子入射能量 的 一1次幂之积近似为一常数 。 关键词 ： 高能电子 ； 二次 电子发射系数 ； 能量幂次； 金 ； 银 中图分类号 ： 0462．2 文献标志码 ： A 在具有一定能量的原电子轰击下，从物体表面发射 电子的现象称为二次电子发射_】]。通常把能量小于 50eV的二次电子定义为真二次电子，把能量大于50eV的二次电子定义为背散射二次电子_l2]。背散射二次 电 子数与原电子数之比定义为反射系数，真二次电子数与原电子数之 比定义为真二次电子发射系数 。真二次电 子数与原电子中射人发射体内的原电子数 (除去通过弹性散射或非弹性散射返回的原电子数)之比定义为有效 真二次 电子发射系数 ]，常用 来表示 。文献E3J已论述 了高能原电子 (原电子 的入射能量 w叩≥1OkeV)轰 击金属时入射能量与有效真二次电子发射系数的关系，且认为高能原电子在金属 内的沿程能量损失符合惠定 顿定律[4]dW ／如 。C—IlW ，其 中，w 和 分别是原 电子的能量与行程 ；原电子的射程与其入射能量和能量幂 次的基本关系式[5]：R—AW；。，其 中，R是原电子的射程 ，A是与材料相关的常数 ，1l是原电子的能量幂次 ，能 量幂次 是与原电子的能区和材料相关的常数 。本文根据原 电子的射程与其入射能量 、能量幂次的基本关系 式推导出高能原电子在金属内的沿程能量损失符合 dW。Idxoc—llW；_。，论述 了高能原 电子轰击金属时金属 的二次电子发射系数与入射能量、能量幂次 的关系，并用实验数据证明了该理论的正确性(将原 电子的入射 能量 w叩≥1OkeV的原电子称为高能原 电子)。 1 高能原电子入射能量、能量幂次与金属的有效真二次电子发射系数的关系 若原电子在发射体中的总行程为R，N(x，W。)是一个射人发射体 内(没有通过弹性散射或非弹性散射返 回)的原电子产生的内二次电子数，那么有效真二次电子发射系数可以写成 一 N ( ， 一一 e～ z ( 一JfN(，W)f(x)dx一一旦IR e一dz (1) J 0 ￡ J 0 O．X 式中：a为吸收系数 ；1／a— 为逸出深度 ；B是当z一0时的几率 ；e是激发一个 内二次电子所消耗的平均能量 。 对于一般金属发射体 ，当原电子入射能量为几百 eV时，二次电子发射系数达到最大 ，高能原 电子射入金 属发射体 内的深度明显大于逸 出深度 1／4，在大于逸出深度 1／4处所激发的内二次 电子几乎不能逸出金属发 射体而成为真二次电子 ，所以对于高能原 电子轰击金属发射体时，式(1)的定积分区间可 以近似改成积分 区间 为Eo，1／a]的定积分。 根据原电子的射程与其入射能量和能量幂次的基本关系式 ：