用于三维封装的铜-铜低温键合技术进展.pdfVIP

第34卷 第 1期 电 子 元 件 与 材 料 v01．34NO．1 2015年 1月 ELECTRONIC COM PONENTS AND MATERIALS Jan．2015 用于三维封装的铜．铜低温键合技术进展 李科成 ，刘孝刚 ，陈明祥 ， (1．华中科技大学 机械科学与工程学院，湖北 武汉 430074；2．武汉光电国家实验室 MOEMS研究部 湖北 武汉 430074) 摘要：在三维系统封装技术中，金属热压键合是实现多层芯片堆叠和垂直互连的关键技术。为了解决热压键合 产生的高温带来的不利影响，工业界和各大科研机构相继开发出了多种低温键合技术。综述了多种不同的低温金属 键合技术 (主要是 Cu．Cu键合)，重点阐述 了国内外低温金属键合技术的最新研究进展及成果，并对不同低温金属键 合技术的优缺点进行了分析和比较。 关键词：三维封装；热压键合；综述；低温键合；电子封装；异质集成；系统封装 doi：10．14106~．cnki．1001-2028．2015．01．002 中图分类号：TN405．97 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001-2028(2015)01．0009．06 Developmentsofcopper-to-c·opperlow temperaturebondingtechnology for3D packaging LIKecheng，LIU Xiaogang，CHEN M ingxiang (1．SchoolofMechanicalSciencenadEngineering，HuazhongUniversityofScienceTechnology,Wuhan430074，China； 2．DivisionofMOEMS，WuhanNationalLaboratoryforOptoelectronics，Wuhan 430074，China) Abstract：M etalthermocompressionbondingapproachisthekeytechnoloyg ofrtherealizationofmulti-chipstacking nadve~icalinterconnectionin3D system packaging．Inordertoeliminatetheadverseimpactofhightemperature，various low temperaturebondingmethodsare developedbyhteworld-widecompna iesandresearch instiuttes．Differentlow temperaturemetalbondingapproaches(mainlyCu—Cubonding)raereviewedandintroduced，thelatestdevelopmentsand resultsarefocusedon．Themeritsanddrawbacksofvariouslow temperaturebondingtechnologiesraeanalyzed． Keywords：3D packaging；thermo compressionbonding；review；low temperaturebonding；elecrtonicpackaging； heterogeneousnitegration；systeminpackaging(SIP) 为了延续甚至超越摩尔定律，不断提高封装密 优 良的导电导热性能、耐电迁移性能以及牢固的机 度，缩短互连长度和降低功耗，实现电子产品的多 械连接等优势脱颖而出，成为实现三维系统封装多 功能化和小型化，近年来智能手机、平板电脑等电