挤压铸造SiCp%2fCu电子封装复合材料地研究.pdfVIP

挤压铸造SiCp／Cu电子封装复合材料的研究 陈国钦，姜龙涛，朱德智，武高辉 (哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨150001) 摘要 以电子封装为应用背景，采用挤压铸造方法制备了颗粒粒径分别为10，20，63tim的 SiC#Ca复合材料，并研究了颗粒粒径对其热物理性能的影响。显微组织观察表明，复合材料颗粒 分布均匀，材料组织致密；复合材料的平均线热膨胀系数(20一100℃)随SiC尺寸的降低而降低， 介于8．4×10一～9．2x10“℃-1之间，这是由于细小的SIC颗粒引入了较多的界面，在界面的约束 作用下，有效地降低了复合材料的热膨胀系数；随着颗粒尺寸的减小，热导率也随之下降。这与 复合材料界面热阻的负面影响有关。 关键词：SiC／Ca挤压铸造热膨胀热导率 1前言 2材料制备与实验方法 电子封装材料一般需要低的热膨胀系数、高的 2．1材料制备 热导率及低的密度和一定的强度。随着电子器件技 本研究中，增强体为磨料级a—SiC颗粒，体 术的进一步发展，对封装材料提出了更高的要求。 积分数为55％，颗粒粒径分别为lO，20，63tan； 如：高强度和高气密性要求复合材料的相对密度达 基体选用热导率较高，价格相对较低的工业纯铜 到全致密(大于98％)；特定的物理和力学性能严格 要求材料具有一定的化学成分和组织结构；形状复 性能如表1所示。SiCp／Cu复合材料采用挤压铸 杂的零件要求材料制备工艺上的净成型。而这些都 造工艺制备…9，首先，将一定含量的SiC颗粒装 是传统的热沉和电子封装材料如血、AI、Mo、W、入模具，制成体积分数为55％的颗粒预制件，于 Kovar合金及lnvar合金所不能满足的L卜31。因此， 新兴制备工艺的探索和新型封装材料的开发在电子 迅速加压至100MPa，保温5min后脱模，得到 封装领域倍受瞩目，而其中，金属基复合材料被誉 SiCp／Cu复合材料。 为最有前景的封装材料之_[4-6J。 表1基体13和SiC颗粒的基本性能 铜基复合材料以其低的热膨胀系数、高的热 导率、优良的导电性、高温性能和加工性能吸引 着封装材料业的目光。根据混合定律(ROM)，为 了获得与半导体或陶瓷基片材料相匹配的热膨胀 系数，必须要求铜基复合材料具备高体积分数的 2．2实验方法 增强相。当增强相体积分数较高(大于40％)时， 铸态SiCp／Cu复合材料的金相显微组织采用 采用常规粉末冶金法【7·8J制备的复合材料，不仅 OIIⅧPI)SPMG3照相机观察。 加工性能差而且致密度低。这对复合材料的物理 性能测试前，将复合材料进行7000C真空退 和力学性能，尤其是导电、导热性能有着严重的 火，保温1．5h炉冷退火处理。复合材料的热膨 影响。 胀系数采用德国Nl麟H公司生产的DIL402型 为了获得高致密低膨胀的复合材料，本文采 用挤压铸造工艺制备了不同颗粒粒径(10，20， 作者简介：陈国钦(19r78．)，男．博士生．现从事电子封装 63tan)的SiCp／Cu复合材料，并对材料进行了微用复合材料设计与性能研究，公开发表论文5篇，发明专利 观组织观察和热物理性能的测试与分析。 2项。 563 热膨胀测试仪测定，升温速率为5℃／min，为保3结果与分析