白光干涉的谱分析及其数据处理.pdfVIP

维普资讯 第 22卷 第 6期 应 用 光 学 vo1．22． No6 2001正 2001 文章 编号 ：1002— 2082(2001)06—0O28—03 白光干涉 的谱分析及其数据处理 常久伟 ，徐 菌 ，史庆军。 (1．大连理工大学 ．辽宁 大连 l16023；2．佳术斯大学 ．黑龙江 佳术斯 154007) 摘 要 ： 通过分析 自光干涉谱，计算出生长在 GaAs衬底上的氮化镓薄膜厚度 。重点介绍干涉谱包含 的信息及散据分析方法 。 关键词 ： 干涉谱 }薄膜 }散据分析 中囤分类号 ：0433．4—37 文献标识码 ：A 引言 由光的干 涉原理 可 知 ，光在 薄膜表 面将 在现代材料科学 中，薄膜材料是一种有广 发生等倾干涉 ，如 图 1所示 。其干涉公式为 阔应 用前 景 的材 料 。由于薄膜材 料的发展 ，相 皿 = 继产生 了一 系列 的新学科 ，如薄膜物理 ，界面 ，鲁 ㈦ 物理 等等 。氮化镓 (GaN)是一 种 在蓝 绿光 式 中， 一 2n2hcosl2； 为整 数 。 IED、LD 中有重 要应用价值 的半导体 薄膜材 料 。其宽禁带 、高稳定性等一系列优越 的半导 体特性使它成为近年来 国际上最热 门的研究 课题 之一 。 薄膜材 料 的特 性 与薄膜 的厚度 有 极其 重 。／ 要 的关系 。因此 ，薄膜生长过程 中厚度实时监 GaAs ： 测和生长完成后厚度 的测量就显得非常必要 。 我们采用 ECR·PAMOCVD方法在GaAs衬底 上生长了立方 GaN_1]。在可见光 区GaAs是一 囤 1 白光在薄膜处的干涉现象 种不透 明的晶体 ，而 GaN则是一种透 明晶体 。 Fig．I Interferencephenom enonor 我们利用基底和薄膜 的这种性质设计 了一套 whiteIightatthinfilm 实验装置 ．得到 了一些实验数据 (白光的干涉 若用连续光谱进行干涉实验 ，不 同波长 的 谱)，并求 出了GaN 薄膜 的厚度 。 光将 同时发生干涉现象 。渡长不 同的光通过薄 膜发生干涉后将干涉加强或者干涉减弱 。如果 1 实验原理及 装置 我们可 以找到相邻 的干涉相加或干涉相消 的 1．1实验原理 波长 ，例如干涉加强 ： 收稿 日期 ：2001— 05— 21 作者简介 常久伟 (1979一)．男 ．大连理工大学 电气工程 与应用 电子 技术系 99级硕士研究生 。 28 维普资讯 ， ( + 1)11 化镓薄膜表面 的干涉谱 图和光源 的谱 图，如 图 丽 l ㈤ 3所 示 。