三氧化二铟纳米晶的光学性质的研究.pdfVIP

第六届中国纳术科技西安研讨会论文集 三氧化二铟纳米晶的光学性质研究 于红理，刘晖。陈光德 (西安交通大学理学院，西安．710049) 摘要；本文采用水热解法制各出，三氧化二铟(In203)纳米晶．x射线衍射和激光拉曼谱实验结果都证 实，产物为三氧化．二铟纳米晶；x射线衍射和透射电子显微镜都证实晶粒具有斜方六面体结构：通过室温 下uV·Vis吸收光谱、荧光激发光讲和荧光光讲观察到，三氧化-二钢纳米晶体明显的光学吸收边和两个发光 峰；对In20，纳米晶备光i{}的位置与体材料进行，比较，并进行r解释。 关键词：三氧化_二钢；纳米晶；光学性质 1引言 ln203是重要的宽带隙金属氧化物半导体。它具有高的可见光透光度、较高的硬度、较 大的衬底附着力及优良的化学惰性，在掺杂或存在氧缺馅的情况下具有高导电性，网而在太 日I能电池、微电极、敏感器件等光电器件领域得到了J，。泛的应用【1,2．31。In203具有直接带隙， 其能隙为3．55～3．75eV”1，因制备方法不同。带隙有所不同。通常认为是3．6eV。近年来． 薄膜在存在氧缺陷情况下能产生荧光现象．荧光峰位于637nm。吴晓春”唔报道，表面包敷 硬脂酸的分散的纳米In203有机溶胶体系，由于颗粒细小，存在大量氧缺陷能级．出现了薄 膜态In203没有的新的荧光现象，发射带位丁．480rim左右。晟近，周慧娟等[7’在In20，颗粒 ／si02介孔组装体系中发现了体相和纳米相In20，所没有的新奇的荧光现象。该体系具有从 近紫外至整个可见光区域宽频带发射荧光特性。井随制备条件不同荧光峰发生显著变化。目 前．有关ln203发光特性的研究尚处于新现象的发现阶段。 本文主要对In203纳米颗粒的吸收光谱、发光光谱、激发光谱和拉曼光谱进行研究和测 量，以便对In：q材料的光学性能有一个初步了解。 2材料制备 由于物理方法和气相方法在操作中对设备的要求和：[艺参数要求比较高，本文在参照以 上各种方法并对实验装置进行改进的基础上。在150C、常压条件下，以水作溶剂，InCly4HzO 为原料，合成In203．经过500。C退火七小时可以得到In203纳米品。该法设各简单。合成条件 低，反席容易控制且合成的晶粒比较均匀。x射线衍射、透射电子显微镜对产物进行表征． 研究结果表明了台成的材料具有斜方六面体结构，平均粒径为69纳米，晶格常数为 a=lO．138A． 3光谱研究 3．1In203纳米材料室温UV-Vis吸收谱 通过UV-Vis谱中吸收峰位置的变化可以直接得到纳米材料的能级结构变化。通过对纳 米材料光吸收的研究发现，与常规材料相比．出现了一些新的现象。当半导体纳米粒子半径 小于或等丁．激子半径时．会出现激子光吸收带；另一方面由界面效应引起，由于表面原子增 多．使得界面存在大量的缺陷，有可能形成一些高浓度的色心．使纳米固体呈现新的吸收谱 带。 本实验中1n203纳米材料的吸收谱是在紫外分光光度仪UV-2501PC上测量得到的． UV-2501PC紫外可见分光光度计由日本岛滓制作所生产。测量时先把纳米In203颗粒用超声 波分散在无水乙醇中．然后让纳米In：03颗粒沉积在放置于容器底部的高纯石英片上．取出 fi英片．等无水乙醇挥发完后即可进行吸收光谱的测量。 214 第六届中国纳米科技西安研讨会论文集 ilI鲁g-羞 图1In20，纳米品的吸收光潜 图l为In203纳米材料室温下的吸收谱。从图中可以看到。样品的吸收边在相对于体块 I“203的禁带宽度3．6eV(删344nm)嗍没有发生显著的蓝移，并且没有见到带尾，表明 颗粒大小比较均匀。 子有效Bohr．直径，电子德布罗意波不被局限在粒径尺度内。此时粒径尺寸与电子德布罗意波 长相比较大，没有表现出明显的量子效应。所以。利用上两式通过计算可知，要在吸收光谱 中表现出显著的蓝移现象，颗粒的尺寸大小量级应该在几纳米。 3．2I“203纳米材料室温发射谱 从文献【50】中可知，体相的In20提不发光的．但是通过对纳米体系的发射光谱研究发现， 由于纳米的量子足寸效应，随着粒子尺寸减小，结构发