限流电阻层改善碳纳米管场发射显示器发光均匀度地研究.pdfVIP

第六屑中国纳米科技两安研讨会论文集 限流电阻层改善碳纳米管场发射显示器发光均勾度 的研究 李听，贺永宁，刘卫华，朱长纯 f蘸安交通大学电子与信息丁程学琬，两安710049) 摘要：针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中CNT十体差异及其畸衬底的不良接触对发光均匀性 的影响．引入反馈限流电阻层改善阴极薄膜的场发射发光均匀性．采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧 化锌作为电阻限流层，在其上制备CNT阴极薄膜．对CNT薄膜阴极的发射电流稳定性和均匀行进行 了测试．给出了电阻限流层对场发射特性曲线的膨唬效果．SEM分析表明．氧化锌电阻层有利于消除 CNT阴极的尖端屏蔽效成．并且使得CNT与对底具有更加紧密趵接触．塌发射特性革l场发射发光熙 片表明虽然随着限流层厚度增力ll，阚值电压育所增加．发射电流有所减小．然而限流层的存在有效的 改善了发射电流的稳定性，使得发射电流和场发射发光点分布更加均匀。 关键词：碳纳米管，场致发射显永器，氧化锌．稳定性 中图分类号：TN27文献标识码：A文章编号：0484 L引言 ’ 自1995年WallA．deHeer等报道了CNT的优良电学特性和优良的场发射特性以来【l】， CNT在场发射显示器件方面的应用价值逐步得到认识。场发射显示器由于其可与CRT媲美 的显示效果，一直都是显示领域所期待的新型平板显示技术，CNT阴极的出现。使FED的 研究人员可以绕开复杂的Spindt尖锥制造工艺．从而为FED技术的发展开辟了一条新路。 CNT阴极制各是CNT场发射显示器的技术核心，作为场发射显示器阴极。不仅要求具有足 够的电子发射能力，面且要求具有长对闯豹场发射稳定性和发射点均匀度，由于CVD法制 备的CNT阴极在场发射性能、场发射寿命咀及与栅极集成等方面具有优势．而被更多的研 究者所看好．然而。CNT阴极的场发射稳定性和均匀性仍然不能满足场发射显示器的要求。 场发射稳定性受多种因素影响，如杂质、尖端吸附态、场发射过程中的粒子轰击和热效应、 CNT与电极之间的接触电阻等【2～7】。虽然这些因素对场发射电流的影响机理各不相同． 但是最终都体现为场发射点数量和单个发射点场发射能力的变化。所以，针对CNT场发射 阴极薄膜中CNT个体差异及其衬底的不良接触对发光均匀性的影响，提出了一种可改善器 什发光均匀度的限流层制造工艺。限流电阻的作用相当于在每个CNT与衬底之间串联一个 电阻．构成串联回路．众多的串联回路并联构成总电流回路。当某个串联回路发射电流突增 时。该回路的限流电阻电压也突增，导致CNT上的压降回落。发射电流回落．从而保持每 个CNT上的发射电流值相对均匀、稳定。采用丝网印刷工艺在衬底上制各氧化锌电阻限流 层。通过厚度的改变调节限流电阻的阻值，从而研究电阻改变对场发射特性的影响．在其上 采用热分解金属络台物的方法制各CNT薄膜作为阴极发射阵列。对CNT显示器阴极的发射 电流稳定性和均匀性进行研究．研究限流层对发射电流稳定性的改善。采用SEM分析和场 发射发光照片研究氧化锌电阻层对CNT阴极生长表面的影响．以及对场发射电流和场发射 发光点分布的影响。 2．实验 限流电阻的作J}』相当于在每个CNT与衬底之间串联一个电阻，如图l(a)所示-构成串 联回路。众多的串联同路并联构成总电流同路。在实验中采用图l(b)所示的连续限流层薄膜 基金项目：国家自然科学基金资助项目(No 作者简介：李昕(1968_-)1血，博士，(E-mail：Ix@mail．xjtu．edu．cn) 283 第八届中国纳米科技西安研讨会论文集 代替图l(a)所示的结构．在硅衬底上采用丝网印刷工艺制备10种不同厚度的氧化锌电阻限 流层．每层厚度大约10微米。在56032下烧结。之后在单温区电阻炉内采用热分解酞菁铁 CVD的工艺实现CNT薄膜的生长。生长出的样品表面有浅黑色薄膜，尺寸为1．Sxl．5cm2。 对样品进行场发射特性测 CNT ZnO