磁控溅射制备硅铝阻隔膜地研究.pdfVIP

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2017-08-19 发布于安徽
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磁控溅射制备硅铝阻隔膜地研究.pdf

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V01．28No．82007．08 包装工程PACKAGINGENGINEERING 磁控溅射制备硅铝阻隔膜的研究霍纯青，陈强，孙运金，岳蕾，张跃飞。刘福平 (北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室。北京102600) 摘要：采用磁控溅射技术以10％Si一90％AI合金为靶材，通入02将si氧化成si02，A1氧化成 A1203，在普通PET薄膜表面制备具有高阻隔一】生无机阻隔薄膜屡，以增加其阻隔性。侍统的磁控溅射法制备Si02膜工艺，大多采用射频溅射法，但其成本较高．效率较低，无法充分满足太面积工业化镀膜生产的需要。而采用10％Si一90％A1舍金不仅可以实现直流溅射工艺。而且测量结果表明．薄膜的阻隔一眭得到大幅度提高。关键词：直流反应磁控溅射；Si02-A120，薄膜；阻隔性 ofDC Si·AJ for BarrierFilms Study Magnetron SputteringAlloyHigh HU0 Chun—qing．CHENQk嘴。SUNYua-jin，YUELei。ZHANGYue-fet．uUFu-ping of Institute (Beijing GraphicCommunication．Beijing102600。China) to a$i-AI for Abstract：TheD(：magnetron alloytorg=et sputteringmethodⅢadoptedsputter high of for bal时er 011PETsurface．Itiswellknownthat Si02·Ak03layer inorganicSi02layer properties pI删“g RF shallbe in Buta andlow mk∞it magnetronsputteringemployedgeneral longdepositionperied efficacy for in filmsandindustriMizedduetoeconomicalrm∞n．Witllsi．^J impossible large coating application alloy itnow for barrier inPETfilm basedoiltheresults becomes inDC target possiblehigll properties sputtering obtainedinour experiments．