ZnO和ZnO%2fMgO复合层薄膜的PLD法制备及其特性的研究.pdfVIP

人连理1人学博士学位论文 摘 要 较大的激子束缚能(60meV)，理论上可以在室温下实现紫外光的受激发射。同时， ZnO还是优质的压电、气敏及光电材料。ZnO薄膜的制作方法很多，传统方法有：磁控 溅射(magnetron 热解法(spaypyrolysis)、热氧化法(thermal 构、能带、电学和光学方面的诸多优点，加上ZnO薄膜的制作方法很多，可以适应不 同的应用需求，ZnO在器件应用方面具有广阔的应用范围，潜力很大，前景极好。它可 以被用来制作透明电极、压敏电阻、太阳能电池窗口、表面声波器件、气体传感器、发 光二极管等。在短波区域，ZnO可用于制造紫外发光器件和紫外激光器，对于提高光记 录密度及光信息的存取速度起着非常重要的作用。 脉冲激光沉积是近年来发展起来的先进的薄膜生长技术，能够制备出高质量的薄 膜。它的工作原理是在高真空背景下用高能激光烧蚀ZnO靶材生成蒸发物淀积在加热 衬底上生长晶体薄膜。有多种衬底可以生长ZnO薄膜，目前使用最多的是A1203衬底， 已经以灿203为衬底制备出高质量的Zn0薄膜。而si是最重要和使用最广泛的半导体 材料，它的优点是价格便宜，已经拥有成熟的加工工艺。本论文中用脉冲激光沉积方法 在Si(111)村底上按照衬底温度、脉冲激光重复频率、环境氧压等不同条件生长了ZnO 力显微镜(AFM)以及台阶仪和电子探针等测试手段进行了表征。根据对ZnO薄膜的 结构和发光特性的研究，找到了生长薄膜的优化条件，得到了高度c．轴(002)取向的 的范围内能生长出结晶质量较好的薄膜，并能得到半高宽较窄，强度较大的紫外发光峰。 同时研究了ZnO薄膜的发光机理，认为薄膜紫外峰源自自由激子复合发光，绿光峰 的发光机制与锌位氧OZIl关系密切，氧空位是蓝光发射的重要原因。 PLD方法的一个优点是可以对生长的薄膜进行原位监测，反射式高能电子衍射仪 (RHEED)是本试验中用来对ZnO薄膜生长进行原位监测的重要仪器。通过观察研究 了结构分析，发现rZnO薄膜的两种RHEED电子衍射点阵并对它们进行了标定。 ZnO和ZnO／MgO复合层薄膜的PLD法制备及其特性研究 对ZnO的能带结构和发光特性的调制作用以及利用它们不同的光学折射率制作用于改 善ZnO紫外发光特性的布喇格反射器，用ZnO、MgO两种靶材制作了不同周期的 变大，荧光谱中紫外峰的位置发生了蓝移，使得复合层薄膜的禁带宽度提高了大约0．05 eV。用TEM对薄膜的截面进行了观察，得到了复合层薄膜的品格特征和结晶区域分布 品格扭曲使得a轴氏度增加和C轴长度变短，其它区域根据扩散程度的不同形成了MgO 或者Zn。Mgl一。O多晶颗粒。这些工作为开展下一步研究打下了初步的基础。 关键词： zn0薄膜：脉冲激光沉积；荧光光谱；RHEED；Zn0／MgO复合层薄膜