微电子器件及工艺课程设计(指导,参考书).pptVIP

晶体管的结构 双极晶体管结构及版图示意图 自对准双多晶硅双极型结构 课程设计要求 制造目标：发射区、基区、收集区的掺杂浓度；发射结及收集结的结深；基区宽度；收集结及发射结的面积 总体制造方案：清洗→氧化→光刻（光刻基区）→硼预扩散→硼再扩散（基区扩散） → 去氧化膜→ 氧化工艺→光刻（光刻发射区）→磷预扩散→磷再扩散（发射区扩散） → 去氧化膜→ 沉积保护层→光刻（光刻接触孔）→金属化→光刻（光刻接触电极）→参数检测 工艺参数设计：设计的基本原理，基本公式，工艺过程。；发射区和基区的扩散温度、扩散时间及相应的氧化层厚度，氧化温度及时间。 晶体管的结构图及版图：版图标准尺寸为4inchX4inch，版图上有功能区及定位孔，包括基区版图、发射区版图，接触孔版图（发射极及基极）及3张版图重合的投影图。 设计报告 目录 设计任务及目标 概述－发展现状 工艺流程 设计基本原理及工艺参数设计 设计参数总结 版图 心得体会 参考书 报告书约20~30页，A4纸 参考书 微电子制造科学原理与工程技术，电子工业出版社，Stephen A Campbell著 半导体制造技术，电子工业出版社，Michael Quirk，Julian Serda著 微电子技术工程，电子工业出版社，刘玉岭等著 晶体管原理与工艺，科学出版社，上海无线电七厂编 晶体管原理与设计，科学出版社，北京大学电子仪器厂半导体专业编 大功率晶体管的设计与制造，科学出版社，赵保经编 晶体管原理与实践，上海科学技术出版社 基本要求 所有的参数设计都必须有根据，或为计算所得，或为查图表所得，须列出资料来源，不得杜撰数据、不得弄虚作假。 相互合作，独立完成。 树立严谨的、科学的、实事求是的态度。 起掩蔽作用的氧化层厚度 杂质在SiO2中分布属余误差分布和高斯分布。对余误差分布，浓度为C(x）所对应的深度表达式为： x ＝ 2（D SiO2 t）1/2 erfc－1 C（x）/Cs ＝ A （D SiO2 t）1/2 Cs为扩散温度下杂质在SiO2表面的浓度，t为扩散时间，A与SiO2表面处的杂质浓度及SiO2膜下面衬底的表面杂质浓度有关，可由高斯函数或余误差分布函数得到。假定SiO2表面处的杂质浓度与Si－ SiO2界面处的杂质浓度之比为某一值，如103时，就认为SiO2层起到了掩蔽作用。由此可求出所需的SiO2层的最小厚度xmin。此时可由余误差分布函数查出A=4.6, 因此 Xmin ＝ 4.6 （D SiO2 t）1/2 t为掺杂扩散时间，预扩散温度低，扩散系数小，杂质在预扩散时在二氧化硅中的扩散深度可忽略不计。 氧化时间计算 x0＝A/2 {[1+ (t+τ)/(A2/4B)]1/2-1}, 可由图解法求解。 初始条件x0（0）＝xi，xi为氧化前硅片上原有的SiO2厚度。可得： x02 ＋ Ax0 ＝ B（t＋τ） A=2 DSiO2 ( 1/ks +1/h); B= 2DSiO2 C*/ N1 ； τ= ( xi2＋Axi）/ B 。 A、B都是速度常数，可查表获得 恒定表面源扩散 恒定表面源是指在扩散过程中，硅片表面的杂质浓度始终是保持不变的。 恒定表面源扩散指硅一直处于杂质氛围中，硅片表面达到了该扩散温度的固溶度Cs。 解扩散方程： 初始条件为：C(x，0)=0，x0 边界条件为：C(0，t)=Cs C(∞，t)= 0 恒定表面源扩散杂质分布情况 x CB Cs xj1 xj2 xj3 C(x,t) t1 t2 t3 0 t3t2t1 恒定表面源扩散 erfc称为余误差函数。 恒定源扩散杂质浓度服从余误差分布，延长扩散时间： ①表面杂质浓度不变； ②结深增加； ③扩入杂质总量增加； ④杂质浓度梯度减小。 结深 杂质数量 杂质浓度梯度 有限表面源扩散 指杂质源在扩散前积累于硅片表面薄层δ内， Q为单位面积杂质总量，解扩散方程： 边界条件:C(x,0)=Q/δ , 0xδ C(∞,t)=0 初始条件：C(x,0)=0, x0 有限表面源扩散杂质分布情况 X Xj1 Xj2 Xj3 Cs Cs’ Cs” t1 t2 t3 C(x,t) CB 0δ t3t2t1 有限表面源扩散 杂质浓度梯度 杂质表面浓度 结深 扩散时间计算 再扩散 结深 xj＝｛4Dt lnS/[Csub（3.14Dt)]1/2｝1/2 S为单位面积的掺杂原子总数，s＝浓度（平均浓度）×结深 预扩散扩散长度比再扩散的扩散长度小得多，预扩散分布的渗透