一种sine型慢波结构的研究.doc

文章编号： 一种 程兆亮， （电子科技大学物理电子学院，微波电真空器件国家级重点实验室，成都 610054） 摘 要： 关键词： 中图分类号： TN124 文献标志码： A 1 sine型微带曲折线慢波结构模型 Sine型微带曲折线模型如图1所示。其中介质基板厚度为h，长度为a，采用介电常数为9.8的氧化铝材料；空气框高度为d；sine微带线的振幅为b；微带线宽度为w，厚度为t，系统周期为p。 Fig.1 Modal and dimensional parameters of sine-shaped microstrip meander-line SWS 图1 2 高频特性仿真 我们 由图2可以看出，sine型微带曲折线慢波结构相比于直角型，色散稍弱，带宽更宽，耦合阻抗相当。 Fig.2 Dispersion characteristics and interaction impedance of the two SWSs 图1 由图3-6可知，随着b的增大，归一化相速减小，频率下降，耦合阻抗变化不大；介质基板长度在b的2倍左右时对高频特性的影响不大；介质基板的厚度h增大，归一化相速增大，色散变强，耦合阻抗增大；随着微带线厚度t增大，归一化相速增大，耦合阻抗增大。同时我们知道，微带线的厚度增加，高频系统的反射变强，传输特性变差，综合考虑以上尺寸的影响以及对系统注-波互作用的影响，应该根据实际要求选择合适的结构尺寸。 Fig.3 Dispersion characters and interaction impedance versus a 图3 色散特性和耦合阻抗随a的变化 Fig.4 Dispersion characters interaction impedance versus b 图4 色散特性和耦合阻抗随b的变化 Fig.5 Dispersion characters interaction impedance versus h 图5 色散特性和耦合阻抗随h的变化 Fig.6 Dispersion characters interaction impedance versus t 图6 色散特性和耦合阻抗随t的变化 利用CST仿真软件的微波工作室模块[11]，可以对sine型微带曲折线慢波结构的传输特性进行仿真，如图3所示，采用同轴过渡，通过仿真可以得到系统的S参数，如图4所示。 由图6可知，系统的S11在20GHz到37GHz小于-20dB，S21在20GHz到40GHz大于-1dB。 3 结论 参考文献: [1] J. Kennedy and C. Colombo, “Development of a low voltage powerbooster TWT for a Q-band MMPM,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, no. 1, pp. 180–182, Jan. 2001.[2] A.W. Scott, Microwave generator with interleaved focusing and interaction structures. U. S. Patent, 149191, 1971-7-2. [3] 张大勇,冯进军,等. 微带型曲折慢波结构冷测特性的计算机仿真[J]. 电子器件, 2006,29(4):1223-1226. (Zhang Dayong, Feng Jinjun, et al. The cold-test characteristics simulation of microstrip meander-line slow-wave structure[J]. Electron Devices, 2006,29(4):1223-1226. [4] Wei Yanyu, Shen, et al. A novel V-shaped microstrip meander-line slow-wave structure, China Patent 201 010 227 284.X, Nov. 24, 2010. [5] Shen Fei, Wei Yanyu et al. Cold-test characteristics simulation of a V-type microstrip meander-line slow-wave structure. Proceeding of 2010 8th International Vacuum Electron Sources Conference and Nanocarbon, Nanjing, China, Oct