GMA表面接枝改性纳米SiC的研究.pdfVIP

2003年奎蓐；与分子学拳论文掇告套 抗州2003年t0再争～i4日 GMA表面攘枝改性纳米SiC的研究 罗颖容敏智章明秋 (中出大学材辩科学研究辑蒙合物震合材瓣及功能材耪教育部黧点实验蹙，广髑510275 E—mail：lymsl214@163．net) 前人研究表明辅米碳诧硅(SIC)粒子在改善聚合物摩擦磨损特性方耐显示了穰大的优势 【11。然而，纳米SiC直接应用时，因商表面能-i稀i极易聚集成团，从而影响了纳米颗粒的实际腹 建效果。援瑷为了撬离缝拳袋讫硅靛子在藏黪瓣饔寒努予复台耪瓣孛戆疲簿，霉簧霹鼗予表 _黼进行改性。前期研究工作液明，利用溶剂法接枝改性纳米SiC可以提高其在溶剂中的分散 性闭。本工作采用薅皂乳液聚合法，使甲基丙烯酸缩水甘油酯单体(GMA)在烷蒸纯纳米SiC 慰接接栽子进行了袭拄，并，c毒接技数予在溶裁孛媳努数性逑{亍了耩究。 1．接枝反应条件的研究 】。1零俸浓发豹影穗：熬萃俸滚袋懿馐燕，单 体转化率及接枝率均逐渐增大，并呈先急后缀趋势 (图1)。这是因为，当引发剂浓度一定时，增大 举俸静浓凌有荦l予糖高其与粒子表霹活往点静碰 撞几率，因而接枝魇应速率增大，接枝率随之增加。 键接技效搴在单体浓度较大对会有酝下晦。 蓄v§￡。坩畦誉％占 1．2；f发剂用爨的影响；单体转优率与接枝率 Concentration州morlorlt舯lmout．) 随着引发荆浓度的增加呈先增大后维持，或略为减 Effectofmonomer On Fig．1 concen惦afionthe 夺趋势(辫2)。这是嚣失鼓耪蘧弓}发裁藏麦鹃疆 hallo—SiC ofGMAOR graftingparameters 加，粒子浓面的接枝点增多，接枝几率增大；倪当 日I发剂浓度达到一定值时，如果继续增加引发剂 静用量，裁《导致鑫黯基静双基终正程度增大，使 接枝率及单体转化率下降。 1．3乳他刹岔爨约影魄：转系孛如入少量的菲 离子型表箍活性粼(OP-10)，有乖j予提高粒子的 接枝率。这是因为表面活性剂在粒子的表面形成 一啜戳瑟，挚簿G淞；}子鼹整鸯基窭蒜梭啜辫舞 粒子周围，从而确保了聚合反应优先在粒子表面 n¨I “O*“口*n科omO Conc_mlratlonofInltllttor 进行；但袅面活】挫剂的最大用量不煞超过其临界 Cme儿) Effect 腔束浓囊(CMC)，否弱，聚合反庭容易在驳柬孛 ofinitiatorconeen挫alJollOnthe Fig．2 On nano-SiC 进行，生成的均聚物较多，接枝率降低。 ofGMA graftingparameters 1．4反斑湿度瓣影响：爱应湿度对萃嚣转诧率 的影响比较大，丽对接枝率的影响比较小，在80℃附近出现最犬单体转他率及接牧率。 1．5威应时间的影响：单体转化率