Ti1-xCoxO2稀磁半导体薄膜的制备、结构及磁性研究.pdfVIP

Ti，1Co。O：稀磁半导体薄膜的制备、结构及磁性研究 李建民顾有松展晓元郑小兰张跃 本文用磁控溅射法在单晶Si(i00)基片上，室温条件下制备了Ti卜,Co,02稀磁半导体薄 膜。为了比较，我们分别以C0粉和CoX)a粉为掺杂物制备了薄膜样品。溅射完毕后，将样品 在大气中进行高温退火处理．保温时间2小时，自然冷却。 我们采用扫描电子显微镜(S腿)、X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和超导 量子干涉仪(SQUID)对样品进行了测试。 XRD测试表明我们制备得薄膜样品为金红石结构。图(1)(a)给出了退火温度对薄 膜晶体结构的影响，随着退火温度的提高，薄膜的XRD衍射峰明显增强，结晶程度提高。从 表面形貌图。由图可以看出掺Co籼的样品的晶粒明显大于掺Co的样品的晶粒，可能是因为 C0粉的引入导致了样品中Ti、c0和O元素的比例失衡，从而抑制了晶粒的长大。 f “o f 一∞乱u-誊∞c兽c一 一罂g^．一量-暑三 ㈧ ／。|彳，螂。j。。． 叫k—I 4 土_j ∞ ∞ ∞ ∞ 匆(由g脱) 图(1)(a)掺杂物质为Co的样品经过800C和1000℃退火处理后的XRD结构 (b)掺杂物质为co和Coz03的样品经过800℃退火处理后的XRD结构 159 图(2)(a)掺杂物质为c0如的样品经过1000℃退火处理后的S脚图像 (b)掺杂物质为co的样品经过1000C退火处理后的SEM图像 我们由振动样品磁强计(VSM)测试给出的掺c0薄膜样品在室温下300K的磁滞回线 0e．由图可见 图(3)(a)。他们是扣除基底抗磁信号后的结果．其中，外加磁场为2x104 E m 样品呈现明显的室温铁磁性，饱和磁矩为1．207emu，剩余磁矩为0．147emu，矫顽力 品虽然有较好的晶体结构，但无论在室温下还是低温下都表现出顺磁性为。这些样品经过 1000。C还原气分(112和N2流量比例为1：9)退火处理，保温2小时后，呈现明显室温铁磁性。 emu， 图(3)(b)给出了掺C0203的样品112退火后的磁性测量结果。其中，饱和磁矩为1．128m 0e。计算得单位体积的饱和磁矩为175emu／cm3． 剩余磁矩为0．02198memu，矫顽力为205 1姗‘ 唧． 恻 la) 1|日硼K O删O· ■哪· ．，一7 O棚5· ／ ．／ 吲 5啪 1000@I●蛳拍 ， m’旆’一妇。严』，。如妇。幽’∞ HI∞)