电源用低压高频功率开关管的新希望-正偏沟槽栅JFET研究.pdfVIP

中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会论文集 电源用低压高频功率开关管的新希望－正偏沟槽栅JFET 研究 张娜 亢宝位 田波 韩峰 吴郁 胡冬青 北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100022 摘 要 为充分减小低压电源使用的低压高频功率开关管的功率损耗，沟槽栅 MOSFET 的尺寸已减小到潜力挖掘殆尽的 地步。本文用仿真方法首次系统研究了正偏工作的沟槽栅 JFET ，结果证明它比MOSFET 具有低得多的高频功率损耗，并且 也具有 MOSFET 的通态电阻正温度系数从而可防止热奔的优点，为电源用高频低压功率开关管的发展指明了一个新的有希 望的方向。 关键词 沟槽栅 JFET ，功耗，温度特性 1. 引言 2. 仿真工具及方法 PC 机内 CPU 电源是一种典型的低压电源，它用 仿真所用的是国际上通用的 ISE-TCAD8.0 仿真 Buck 电路实现DC/DC 变换，将初级变换得到的十几 软件。该仿真软件是用三维画图的方法产生器件的理 伏的直流进一步变换为 1 伏左右供给 CPU 。CPU 的功 想结构；用工艺流程的方法产生器件的实际结构；用 能越来越强，要求的工作电流越来越大，笔记本电脑 选择物理模型的方法仿真器件的实际物理特性，最终 需约 50A，台式机和网络服务器需约 100A。Buck 电 自动生成内部载流子、电流、电场等分布情况和电学 路中的功率开关管耐压 20 －30V ，工作频率约 的端特性曲线。 500kHz，正向 1MHz 发展。在这样高的工作频率和散 该软件的仿真基础为半导体器件物理中的三个基 热条件非常恶劣的工作条件下，对功率管的发热有极 本方程：泊松方程、电流连续性方程和玻尔兹曼输运 其严格的要求。元件功耗和冷却已成为限制这些设备 方程。方程中物理参数有丰富的物理模型可供选择。 发展的主要因素[1] 。降低功率管的高频功率损耗是当 我们按照器件的实际需要选取了以下物理模型： 前这类应用中器件追求的最主要目标。 （1 ） 载 流 子 产 生 － 复 合 模 型 ， 包 括 ： 对于这种应用，双极管和 IGBT 达不到 500kHz Shockley-Read-Hall 模型，Auger 复合模型，雪崩产生 或更高的开关频率，而且双极管是饱和电阻负温度系 模型；（2 ）迁移率模型，包括：迁移率－掺杂浓度关 数，有发生热奔的问题，现在只有 MOSFET 独领风骚。 系模型，迁移率－电场关系模型，迁移率－载流子浓 为减小 MOSFET 的通态电阻引入了高密度的沟槽栅 度关系模型；（3 ）能反映禁带变窄模型的半导体能带 结构。然而沟槽宽度和台面宽度已减小到 0.3 － 结构模型。 0.5μm[2] ，在工艺技术上已近极限。况且沟槽的精细化 仿真所用的数值方法是通用的方法，即将器件结 同时带来栅电容的增加，不利于高频工作。所以，这 构离散化，在各个网格点附近求解泊松方程和连续性 类高频低压功率开关管的进一步发展方向令人迷茫。 方程，用牛顿法反复迭代求解。器件的左、右边界取 国际上有人提出用栅源加正偏压工作的沟槽栅的增强 为反射边界条件，即假定非接触边界处为镜像反射。 型(E-)或增强/耗尽型(E/D-)JFET 来取代 MOSFET 。但 是尚未见有对正偏工作沟槽栅 JFET 与 MOSFET 进行 3. 仿真的器件结构与电路条件 系统理论比较的研究报导。本文首次报导了用仿真方 仿 真 的 器件 为 基 本上 相 同 尺寸 的 沟 槽栅 法进行的研究及其结果，证明了正偏工作的沟槽栅 MO