TiO2%2fSnO2复合薄膜的光催化活性研究.pdfVIP

第27卷第3期 《陶瓷学报》 V01．27．NO．3 2006年9月 JOURNALOFCERAMICS Sep．2006 文章编号：1000—2278(2006)03—0281-04 TiOJSn02复合薄膜的光催化活性研究 蔡振钱1 申乾宏1高基伟1杨辉l2 (浙江大学纳米科学与技术中心，杭州310027) 摘要 激发下，TiO。中产生的光生电子注入到SnO。层，有效抑制了薄膜内电子一空穴对的复合，增加了复合薄膜表面空穴的浓度，因而 光催化活性得到了显著的提高。 关键词：二氧化钛，二氧化锡，光催化，复合膜 中图分类号：TQl74．75文献标识码：A 温制备了金红石型SnO。薄膜。本文在此基础上，进 1前言 双层复合半导体薄膜，考察了不同sn02薄膜层数对 Ti02因化学性质稳定、无毒、成本低等特点，在复合半导体薄膜光催化活性的影响，并对其光催化活 光催化处理污水和气体中已开始使用【l】。目前，研究广 性提高的机理进行了探讨。 泛的TiO。粉末悬浮体系，对TiO。的利用率较低 且回收不易，为适应光催化技术的需要，有必要提高 2实验 TiO。光催化活性和解决粉体回收问题。采用复合 式薄膜催化剂，则可以解决上述问题。所以近年 2．1溶胶的制备 来，复合半导体薄膜催化材料的研究已引起广泛关 按暇蜘，采用溶皎一凝皎黼Ti02溶咬。 注，其中尤其是Ti02『tSnO。复合半导体薄膜【2-7l。由于采用结晶四氯化锡、氨水等制备SnO。溶胶。先 这两种半导体材料能级的匹配，光生电子和空穴 可以发生有效分离，使它们复合几率减少，从而大 氨水制备氢氧化锡粉体，抽滤过滤、洗涤粉体，最后将 大提高了TiO：的光催化性【2、31。但是，目前的溶胶一所得粉体加入水中胶溶，得到SnO。溶胶。 凝胶法制备TiOJSnO。复合膜仍需要多次的晶化热2．2复合膜的制备 处理，从而限制了复合薄膜催化剂在不耐高温材料上 以普通载波片直接在TiO。溶胶中浸渍提拉一 的应用范围。 在前期的工作中，作者所在课题组在低温下制备 普通载玻片为基底，先在SnO。溶胶中浸渍提拉制备 出了具有较好光催化活性的TiO：薄膜[81。近期，又低 收稿日期：2006—05—16 基金项目：浙江省科技计划(编号：2005C24005) 通讯联系人：杨辉，男，教授，E-mail：yanghui@zju．edu．on 《陶瓷学报}2006年第3期 都60℃烘干)，再将所得的不同层数sn02薄膜在 TiO。溶胶中浸渍提拉1次，并在60℃烘干制备得到 TiOJSnO：复合膜，分别记为：l#，2#，3#。以上提拉速 度均为50cm／min。 2．3测试表征 以浓度为2．4mg／L的罗丹明B水溶液的光催化 降解评价薄膜的光催化活性。取259上述溶液装入 培养皿中，然后将3片镀膜玻璃片(膜面向上)浸入 W的汞灯下照射。采用日本日 溶液中，最后放在500 立(HrrAcHI)公司u一4100紫外一可见分光光度计 测试光照前后罗丹明B溶液的吸光度，按最高吸收 firm (c)1≠≠(Ti02／Sn02在1111)；(d)Ti02 峰强度的变化可计算出罗丹明B的分解率，做为薄 膜光催化活性的评价指标。罗丹明B的分解率与其